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2025年模拟电子试题技术及答案

一、单项选择题（每题2分，共20分）

1.关于半导体材料，以下说法正确的是：

A.纯净的半导体导电性能很好

B.N型半导体中的多数载流子是电子

C.P型半导体中的多数载流子是空穴

D.B和C都正确

2.在二极管电路中，当二极管处于正向偏置时：

A.二极管呈现高阻抗

B.二极管两端电压约为0.7V（硅管）

C.电流几乎为零

D.以上都不对

3.双极型晶体管(BJT)工作在放大区时：

A.发射结正偏，集电结反偏

B.发射结反偏，集电结正偏

C.发射结和集电结都正偏

D.发射结和集电结都反偏

4.在运算放大器电路中，虚短概念是指：

A.两个输入端短路

B.两个输入端电位几乎相等

C.输出端短路到地

D.输出端与输入端短路

5.在滤波电路中，低通滤波器的作用是：

A.允许低频信号通过，衰减高频信号

B.允许高频信号通过，衰减低频信号

C.允许特定频率的信号通过

D.衰减所有频率的信号

6.关于场效应管(FET)，以下说法正确的是：

A.FET是电压控制器件

B.FET是电流控制器件

C.FET的输入阻抗较低

D.FET有三个引脚：源极、栅极和集电极

7.在反馈放大电路中，负反馈的作用是：

A.提高放大倍数

B.减小带宽

C.提高电路的稳定性

D.增加非线性失真

8.在差分放大电路中，共模抑制比(CMRR)表示：

A.差模增益与共模增益之比

B.共模增益与差模增益之比

C.输入阻抗与输出阻抗之比

D.输出功率与输入功率之比

9.在振荡电路中，要产生稳定的振荡，必须满足：

A.巴克豪森准则

B.基尔霍夫定律

C.欧姆定律

D.楞次定律

10.在功率放大器中，甲类、乙类和甲乙类的区别主要在于：

A.输出功率不同

B.效率不同

C.频率响应不同

D.输入阻抗不同

二、判断题（每题2分，共10分）

1.在理想情况下，运算放大器的开环增益为无穷大，输入阻抗为无穷

大，输出阻抗为零。

2.在PN结中，当正向偏置时，耗尽层变宽。

3.在晶体管共射极放大电路中，输出信号与输入信号相位相反。

4.在数字电路中，CMOS电路比TTL电路功耗更低。

5.在稳压电源电路中，串联型稳压电路比开关型稳压电路效率更高。

三、多项选择题（每题2分，共4分）

1.关于场效应管(FET)的正确说法有：

A.JFET是结型场效应管

B.MOSFET是金属氧化物半导体场效应管

C.FET是单极型器件

D.FET是双极型器件

E.FET的输入阻抗比BJT高

2.在滤波电路中，以下说法正确的有：

A.低通滤波器允许低频信号通过

B.高通滤波器允许高频信号通过

C.带通滤波器只允许特定频段的信号通过

D.带阻滤波器阻止特定频段的信号通过

E.所有滤波器都由电阻、电容和电感组成

四、填空题（每题2分，共10分）

1.在二极管中，当正向偏置时，硅二极管的导通电压约为______V。

2.在晶体管放大电路中，三种基本组态是共射极、共集电极和______。

3.在运算放大器中，虚地是指______。

4.在振荡电路中，满足______条件才能产生稳定的振荡。

5.在电源电路中，将交流电转换为直流电的过程称为______。

五、简答题（每题5分，共10分）

1.简述负反馈对放大电路性能的影响。

2.解释差分放大电路的工作原理及其优点。

参考答案及解析

一、单项选择题

1.答案：D

解析：纯净的半导体导电性能较差，需要掺杂才能提高导电性。N型半

导体中的多数载流子是电子，P型半导体中的多数载流子是空穴。因此，

B和C都正确。

2.答案：B

解析：当二极管处于正向偏置时，二极管呈现低阻抗，电流可以流过。

对于硅二极管，正向导通电压约为0.7V；对于锗二极管，约为0.3V。

3.答案：A

解析：双极型晶体管(BJT)工作在放大区时，发射结正向偏置，集电结

反向偏置。这是BJT工作在放大区的必要条件。

4.答案：B

解析：在运算放大器电路中，虚短概念是指两个输入端电位几乎相

等，这是由于运算放大器的高开环增益和负反馈导致的。

5.答案：A

解析：低通滤波器允许低频信号通过，衰减高频信号；高通滤波器允

许高频信号通过，衰减低频信号；带通滤波器允许特定频段的信号通

过；带阻滤