CN106783982B 一种集成式高压碳化硅达林顿管及其制作方法 （西安电子科技大学）.docxVIP

(19)中华人民共和国国家知识产权局

(12)发明专利

(45)授权

(10)授权公告号CN106783982B公告日2019.12.06

(21)申请号201611247137.2

(22)申请日2016.12.29

(65)同一申请的已公布的文献号申请公布号CN106783982A

(43)申请公布日2017.05.31

(73)专利权人西安电子科技大学

地址710071陕西省西安市雁塔区太白南

路2号

(72)发明人元磊李钊君宋庆文汤晓燕张艺蒙张玉明

(74)专利代理机构西安铭泽知识产权代理事务所(普通合伙)61223

代理人潘宏伟

(51)Int.CI.

H01L29/732(2006.01)

H01L21/04(2006.01)

(56)对比文件

EP0145256A1,1985.06.19,

CN201402808Y,2010.02.10,

US4866500A,1989.09.12,

JPS5790975A,1982.06.05,

YanbinLuo等.Fabricationand

characterizationofhighcurrentgain(β=430)andhighpower(23A-500V)4H-SiC

HybridDarlingtonbipolarTransistor.

《IEEETRANSACTIONSONELECTRONDEVICES》.2004,

HosseinElahipanah等.Intertwined

design:Anovellithographicmethodto

realizeareaefficienthigh-voltageSiCBJTsandDarlingtonTransistors.《IEEETRANSACTIONSONELECTRONDEVICES》.2016,

审查员吴艳艳

权利要求书2页说明书10页附图4页

(54)发明名称

一种集成式高压碳化硅达林顿管及其制作

方法

113112-

113

112-

105

110

106104

109

107

108

102

101

CN106783982B本发明公开了一种集成式高压碳化硅达林顿管及其制作方法，属于微电子技术领域。以提高驱动管电流增益，同时使得工艺简单，降低成本。包括：N+发射区，设置在所述基区上表面，包括呈倾斜槽型的器件沟槽，呈倾斜槽型的器件隔离区和呈垂直槽型的发射区台面；器件沟槽设置在N+发射区，且延伸至N-集电区上部；器件隔离区设置在N+发射区，且延伸至N-

CN106783982B

CN106783982B权利要求书1/2页

2

1.一种集成式高压碳化硅达林顿管，其特征在于，包括：

N+衬底(101);

N+缓冲层(102),设置在所述N+衬底(101)上表面；

N-集电区(103),设置在所述N+缓冲层(102)上表面；

基区(104),设置在所述N-集电区(103)上表面；

N+发射区(105),设置在所述基区(104)上表面，包括呈倾斜槽型的器件沟槽，呈倾斜槽型的器件隔离区(107)和呈垂直槽型的发射区台面；

基极P+注入区(106),设置在所述发射区台面的底面上，且位于所述基区(104)内；

所述器件沟槽设置在所述N+发射区(105),且延伸至所述N-集电区(103)上部；

所述器件隔离区(107)设置在所述N+发射区(105),且延伸至所述N-集电区(103)上部；

隔离区注入层(108),设置在所述器件隔离区(107)下表面，且位于所述N-集电区(103)内；

氧化层(109),覆盖所述器件沟槽区，所述发射区台面和所述器件隔离区(107),并且在所述发射区台面上开设有接触孔；

基极接触金属(110),设置在所述基极P+注入区(106)上表面，