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应变调控4H-SiC点缺陷演化与导电特性的第一性原理计算研究.pdf

应变调控4H-SiC点缺陷演化与导电特性的第一性原理计算研究.pdf

    摘要

    摘要

    作为第三代宽禁带半导体的典型代表，碳化硅(SiC)，因其优异的高温稳定性、

    高击穿场强和抗辐照性能，在核能系统与极端环境电子器件领域展现出重要应用前

    景。然而，辐照缺陷形成机制、电子传输各向异性调控以及掺杂体系应变响应规律

    等关键科学问题尚不清晰，严重制约其性能优化。本论文围绕上述挑战展开系统性

    研究，结合实验表征、第一性原理计算与形变势理论，揭示了应变场与掺杂位点对

    4H-SiC结构与性能的协同调控机制，主

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