CN106611779A 一种逆导型绝缘栅双极晶体管及其制作方法 （电子科技大学）.docxVIP

(19)中华人民共和国国家知识产权局

(12)发明专利申请

(10)申请公布号CN106611779A

(43)申请公布日2017.05.03

(21)申请号201710024792.X

(22)申请日2017.01.13

(71)申请人电子科技大学

地址611731四川省成都市高新西区西源

大道2006号

(72)发明人陈万军陈楚雄娄伦飞唐血锋陶宏胡官昊王泽恒张波

(74)专利代理机构成都点睛专利代理事务所(普通合伙)51232

代理人葛启函

(51)Int.CI.

HO1L29/06(2006.01)

HO1L29/739(2006.01)

H01L21/331(2006.01)

权利要求书2页说明书4页附图4页

(54)发明名称

一种逆导型绝缘栅双极晶体管及其制作方法

(57)摘要

CN106611779A本发明属于功率半导体器件领域，具体的涉及一种逆导型绝缘栅双极晶体管及其制作方法。本发明所提出的新型逆导型绝缘栅双极晶体管，其创新之处是将结终端阳极区域的P型掺杂替换为N型掺杂，这样在元胞区的N型阳极区可以做的比较短，从而提高了阳极短路电阻以抑制Snapback效应。在加反向电压的时候，元胞区和结终端区的N型阳极区域共同充当P