CCD工作原理详解.pptVIP

你们好;CCD成像技术及其在遥感中的应用

第二章CCD工作原理;内容;CCD的工作过程;CCD的性能很大程度上是由电荷图像的生成决定的，CCD电荷图像的生成是CCD工作最重要的过程之一。;硅和锗都是金刚石晶格结构; 通过加热或光照，处于价带的电子可以被激发到导带。把电子由价带激发到导带所需的能量要超过价带与导带之间的能隙Eg(硅的Eg＝1.12eV,砷化镓的Eg＝1.42eV)。;电荷的生成;电荷的生成;电荷的生成能带理论复习;电荷的生成有关参数;电荷的生成;厚型前照明CCD;硅片减薄到15?m左右，光线由背面射入，避免了电极对光线的阻挡，可以得到很高的量子效率。由于可以在硅表面制作减反膜，短波响应将得到很大提高。; 空气或真空的折射率为1.0，硅为3.6。利用上述方程式可以得出在空气中硅的反射率是32%。除非采取适当的措施消除这种反射，否则硅CCD只能探测到2/3的入射光子。增透膜可以解决这个问题。; 加入增透膜以后，有三种介质需要考虑：;右图是EEV42-80CCD的反射率曲线。这种薄型CCD是专为提高蓝光谱响应设计的，其增透膜最佳工作波长为400nm。在400nm反射率下降到左右1%。;电荷的生成;电荷的生成;电荷的生成;电荷的生成;电荷的生成FoveonX3Sensors;电荷的生成FoveonX3Sensors;电荷的