CN106186725A 一种玻璃钝化半导体器件及其制作方法 （四川洪芯微科技有限公司）.docxVIP

(19)中华人民共和国国家知识产权局

(12)发明专利申请

(10)申请公布号CN106186725A

(43)申请公布日2016.12.07

(21)申请号201610516044.9

(22)申请日2016.07.04

(71)申请人四川洪芯微科技有限公司

地址629200四川省遂宁市射洪县经济开

发区河东大道

(72)发明人李学良西里奥·艾·珀里亚科夫

(74)专利代理机构湖州金卫知识产权代理事务

所(普通合伙)33232代理人赵卫康

(51)Int.CI.

C03C21/00(2006.01)

HO1L23/29(2006.01)

HO1L21/56(2006.01)

权利要求书1页说明书3页附图1页

(54)发明名称

(57)摘要一种以铝硅酸盐为基本成分的，例如氧

(57)摘要

一种以铝硅酸盐为基本成分的，例如氧Pb0-或者Zn0-铝硅酸盐，氧化玻璃钝化半导体器件，其特征在于：为了增加该半导体器件在反向偏压和高应力下的可靠性，其包含玻璃钝化次表层，所述玻璃钝化次表层构成该玻璃钝化半导体的玻璃厚度的5%,并且含有表面浓度在8*1018cm3至9*101?cm3范围内的铯。

CN

CN106186725A

1.E+15

121

*3

CN106186725A权利要求书1/1页

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1.一种玻璃钝化半导体器件，其特征在于：包含玻璃钝化次表层，所述玻璃钝化次表层构成该玻璃钝化半导体的玻璃厚度的5%,并且含有表面浓度在8*101?cm?3至9*101?cm?3范围内的铯。

2.根据权利要求1所述的一种半导体器件的制作方法，其特征在于：铯通过在50℃-100℃的温度下、在铯盐溶液中被引入到钝化玻璃，随后在100℃-400℃的温度下、在受控气氛中退火。

3.根据权利要求1所述的一种半导体器件的制作方法，其特征在于：铯通过在50℃-100℃下、在铯盐溶液中被引入到钝化玻璃，随后在100℃-400℃的温度下真空退火。

CN106186725A说明书1/3页

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一种玻璃钝化半导体器件及其制作方法

技术领域

[0001]本发明通常应用于半导体器件，尤其是一种采用以铝硅酸盐为基本成分，如Pb0-或者Zn0-铝硅酸盐，氧化玻璃保护层的表面钝化器件，适用于高压应用。更具体地说，它涉及高可靠性器件，尤其是在高偏压-高温应力(BT-Stress)条件下。

背景技术

[0002]众所周知，因半导体器件参数对于PN结附近的表面的可移动电荷的沾污和累积的高敏感性，在高要求应用环境，半导体器件的表面钝化技术是获得高可靠性的主要因素之一。在各种各样钝化设计和方法之中，现有的玻璃钝化技术，如1965年10月19日，美国专利3212921,已为半导体器件提供良好的化学、机械、电气性能的钝化膜。为进一步改善钝化玻璃的环境、机械、电气性能，2003年3月26日发布的中国专利CN1298029C或者2006年7月5日发布的中国专利CN100589234C,提出对玻璃组份构成进行适当控制。

[0003]上述CN100589234C专利中，讲述了通过采用Zn0替代Pb0,实现具有优良化学、机械、电绝缘性能的对环境安全的玻璃，其基本成分大致包括SiO?(3-12%),B?O?(24-35%),

CeO?(0.1-1%)和Zn0(50-65%),以及可选的(起始浓度为0%)添加物Al?O?,Cs?0,Mg0,Ba0,Bi?O?,MoO?或Sb?O?。

[0004]2006年7月5日中国专利CN200589234C,以及2007年1月25日，日本提出的专利IP2007019503,2007年1月11日德国提出的专利DE102005031658A1,2007年12月21日的美国专利US8163392B2所提出的改进的玻璃组成，并没有规定必须要添加铯。因为上述专利讲述是提出一种满足半导体器件机械、化学和电气绝缘特性的无铅钝化玻璃。铯作为可选的添加物的存在，其主要目的是改善钝化玻璃的粘性。

[0005]1984年9月18日，另一个美国专利4472030提出一种玻璃组成，包含