CN107180889A 一种提高光吸收率的量子阱红外探测器及其制作方法 （上海集成电路研发中心有限公司）.docxVIP

(19)中华人民共和国国家知识产权局

(12)发明专利申请

(10)申请公布号CN107180889A

(43)申请公布日2017.09.19

(21)申请号201710499000.4

(22)申请日2017.06.27

(71)申请人上海集成电路研发中心有限公司地址201210上海市浦东新区张江高斯路

497号

(72)发明人康晓旭

(74)专利代理机构上海天辰知识产权代理事务所(特殊普通合伙)31275

代理人吴世华陈慧弘

(51)Int.CI.

HO1L31/101(2006.01)

HO1L31/0352(2006.01)

HO1L31/18(2006.01)

权利要求书2页说明书4页附图1页

(54)发明名称

一种提高光吸收率的量子阱红外探测器及其制作方法

(57)摘要

CN107180889A本发明公开了一种提高光吸收率的量子阱红外探测器，包括硅衬底、量子阱单元、上电极、上电极欧姆接触层、下电极，下电极欧姆接触层和绝缘层，所述硅衬底表面为三角形凹槽，所述量子阱单元沉积在所述硅衬底表面上，所述上电极通过上电极欧姆接触层和量子阱单元的最上层连接，所述下电极通过下电极欧姆接触层和量子阱单元的最下层连接，且所述下电极与所述硅衬底以及量子阱单元的其他层之间通过所述绝缘层进行隔离其中，欧姆接触层通过离子注入方式形成。本发明提供的量子阱红外探测器表面为三角形凹槽，使得入射到三角形凹槽其中一个面

CN107180889A

CN107180889A权利要求书1/2页

2

1.一种提高光吸收率的量子阱红外探测器，其特征在于，包括硅衬底、量子阱单元、上电极、上电极欧姆接触层、下电极，下电极欧姆接触层和绝缘层，所述硅衬底表面为三角形凹槽，作为红外光的入射区域，所述量子阱单元沉积在所述硅衬底表面上，所述上电极欧姆接触层位于所述量子阱单元的最上层中，且所述上电极欧姆接触层上方为上电极，所述下电极欧姆接触层位于量子阱单元的最下层，所述下电极通过所述下电极欧姆接触层与量子阱单元的最下层连接，且所述下电极与所述硅衬底以及量子阱单元的其他层之间通过所述绝缘层进行隔离。

2.根据权利要求1所述的一种提高光吸收率的量子阱红外探测器，其特征在于，所述硅衬底的表面为(100)晶面。

3.根据权利要求1所述的一种提高光吸收率的量子阱红外探测器，其特征在于，所述硅衬底在碱性溶液中进行腐蚀，形成三角形凹槽。

4.根据权利要求3所述的一种提高光吸收率的量子阱红外探测器，其特征在于，所述碱性溶液为EPW或KOH或NH?OH或TMAH。

5.根据权利要求1所述的一种提高光吸收率的量子阱红外探测器，其特征在于，所述上电极和下电极为Pt。

6.根据权利要求1所述的一种提高光吸收率的量子阱红外探测器，其特征在于，所述量子阱单元为GaAs层和AlxGa?-xAs层交替形成，其中，AlxGa?-xAs层的厚度小于GaAs层的厚度，且所述量子阱单元的最上层和最下层均为GaAs层。

7.根据权利要求1所述的一种提高光吸收率的量子阱红外探测器，其特征在于，所述量子阱单元为InGaAs层和AlxGa?-xAs层交替形成，其中，AlxGa?-xAs层的厚度小于InGaAs层的厚度，且所述量子阱单元的最上层和最下层均为InGaAs层。

8.根据权利要求1所述的一种提高光吸收率的量子阱红外探测器，其特征在于，所述量子阱单元为Si层和SixGe?-x层交替形成，其中，SixGe?-x层的厚度小于Si层的厚度，且所述量子阱单元的最上层和最下层均为Si层。

9.一种制作权利要求1所述的提高光吸收率的量子阱红外探测器的方法，步骤如下：

S01:在硅衬底表面上生长一层绝缘层；

S02:以绝缘层为掩膜，将硅衬底放入碱性溶液中刻蚀，形成表面具有三角形凹槽的硅衬底，去除下电极所在位置以外的绝缘层；

S03:采用外延生长法在含有三角形凹槽的硅衬底表面生长量子阱单元；

S04:在量子阱单元的最上层边缘生长上电极，对位于上电极正下方的量子阱单元的最上层区域进行离子注入形成上电极欧姆接触层；

S05:刻蚀绝缘层上方的量子阱单元，停止于绝缘层，形成凹槽，并且凹槽的横截面积小于绝缘层的横截面积，先在位于量子阱单元最下层以上的凹槽四周沉积绝缘层，再在凹槽中填充下电极，对下电极与量子阱单元最下层的接触区域进行离子注入，