CN107819000A 一种图像传感器及其制作方法 （上海集成电路研发中心有限公司）.docxVIP

(19)中华人民共和国国家知识产权局

(12)发明专利申请

(10)申请公布号CN107819000A

(43)申请公布日2018.03.20

(21)申请号201710879159.9

(22)申请日2017.09.26

(71)申请人上海集成电路研发中心有限公司地址201210上海市浦东新区上海浦东张

江高斯路497号

申请人成都微光集电科技有限公司

(72)发明人杨冰周伟胡少坚肖慧敏

(74)专利代理机构上海天辰知识产权代理事务

所(特殊普通合伙)31275代理人吴世华陈慧弘

(51)Int.CI.

HO1L27/146(2006.01)

B82Y40/00(2011.01)

权利要求书2页说明书4页附图5页

(54)发明名称

一种图像传感器及其制作方法

(57)摘要

CN107819000A本发明公开了一种图像传感器及其制作方法，该图像传感器从下往上依次包括：衬底、晶体管、金属连线、凹槽、量子点薄膜和微透镜，还包括填充在晶体管、金属连线和凹槽中的层间介质，用于隔离晶体管、金属连线和凹槽；镶嵌在层间介质顶端的凹槽数量大于等于4,且每个凹槽被层间介质隔离开，所述凹槽的底面设置金属电极，所述量子点薄膜填充在凹槽中，所述每个凹槽中的量子点薄膜由同一直径的量子点组成，并且位于不同凹槽中的量子点的直径不完全相同；所述微透镜覆盖在所述量子点薄膜上方，呈球形凸状结构，并和量子点薄膜一一对应。本发明提

CN107819000A

CN107819000A权利要求书1/2页

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1.一种图像传感器，其特征在于，从下往上依次包括：衬底、晶体管、金属连线、凹槽、量子点薄膜和微透镜，还包括填充在晶体管、金属连线和凹槽之间的层间介质，用于隔离晶体管、金属连线和凹槽；镶嵌在层间介质顶端的凹槽数量大于等于4,且每个凹槽被层间介质隔离开，所述凹槽的底面设置金属电极，所述量子点薄膜填充在凹槽中，每个凹槽中的量子点薄膜由直径相同的量子点组成，且位于不同凹槽中的量子点的直径不完全相同；所述微透镜覆盖在所述量子点薄膜上方，呈球形凸状结构，并和量子点薄膜一一对应。

2.根据权利要求1所述的一种图像传感器，其特征在于，所述量子点薄膜包括能够显示蓝光的蓝光量子点薄膜、能够显示绿光的绿光量子点薄膜和能够显示红光的红光量子点薄膜，分别填充在不同的凹槽中。

3.根据权利要求2所述的一种图像传感器，其特征在于，所述蓝光量子点薄膜的直径为

2nm。

4.根据权利要求2所述的一种图像传感器，其特征在于，所述绿光量子点薄膜的直径为

3nm。

5.根据权利要求2所述的一种图像传感器，其特征在于，所述红光量子点薄膜的直径为

8nm。

6.根据权利要求1所述的一种图像传感器，其特征在于，所述金属连线从下往上依次包括接触孔、第一金属层、第一层通孔、第二金属层和第二层通孔，所述第一金属层位于晶体管的上方，用于电性连接，所述第二金属层位于第一金属层和凹槽之间，用于电性连接；所述接触孔用于连接晶体管和第一金属层，所述第一层通孔位于第一金属层和第二金属层之间，用于连接第一金属层和第二金属层，所述第二层通孔位于第二金属层和凹槽之间，用于连接第二金属层和凹槽中的金属电极。

7.根据权利要求6所述的一种图像传感器，其特征在于，所述层间介质包括第一层间介质、第二层间介质、第三层间介质和顶层层间介质，所述第一层间介质填充在晶体管和第一金属层之间，用于隔离晶体管和第一金属层，所述第二层间介质填充在第一金属层和第二金属层之间，用于隔离第一金属层和第二金属层；所述第三层间介质填充在第二金属层和金属电极之间，用于隔离第二金属层和凹槽，所述顶层层间介质填充在凹槽之间，用于将凹槽彼此隔离开。

8.一种制作权利要求1所述的图像传感器的方法，其特征在于，包括以下步骤：

S01:在衬底上形成晶体管；

S02:在晶体管周围及其上方形成层间介质，并在层间介质中填充金属连线；

S03:在金属连线上方制备金属电极以及镶嵌在层间介质顶端的凹槽，所述凹槽的数量大于等于4,且每个凹槽被层间介质隔离开；

S04:制备直径不完全相同的量子点，并分别在同一凹槽中填充直径相同的量子点，形成量子点薄膜；

S05:在每个量子点薄膜上方制作球形凸状结构的微透镜，形成图像传感器。

9.根据权利要求8所述的一种图像传感器的制作方法，其特征在于，步骤S04中量子点薄膜的制作方法为金属有机合成法、水相合成法、连