CN107248533B 一种碳化硅vdmos器件及其制作方法 （电子科技大学）.docxVIP

(19)中华人民共和国国家知识产权局

(12)发明专利

(45)授权

(10)授权公告号CN107248533B公告日2020.09.29

(21)申请号201710432727.0

(22)申请日2017.06.09

(65)同一申请的已公布的文献号申请公布号CN107248533A

(43)申请公布日2017.10.13

(73)专利权人电子科技大学

地址611731四川省成都市高新区(西区)

西源大道2006号

(72)发明人张金平邹华刘竞秀李泽宏任敏张波

(74)专利代理机构成都点睛专利代理事务所(普通合伙)51232

代理人葛启函

(51)Int.CI.

HO1L29/78(2006.01)

H01L29/06(2006.01)

H01L21/336(2006.01)审查员李海龙

权利要求书4页说明书9页附图5页

(54)发明名称

一种碳化硅VDMOS器件及其制作方法

(57)摘要

CN107248533B本发明公开了一种碳化硅VDMOS器件及其制作方法，属于功率半导体技术领域。本发明通过在碳化硅VDMOS器件的JFET区表面直接沉积多晶硅层形成Si/SiC异质结，进而在器件内部集成了一个二极管，优化了器件在逆变电路、斩波电路等领域中的应用。本发明与现有技术中直接采用VDMOS寄生碳化硅二极管相比更易实现正向导通，且具有较低的功率损耗、较快的工作速度以及较高的工作效率；本发明与现有技术中采用在器件外部反并联一个FRD相比，降低了器件使用数目，减少了器件之间的连线，有利于器件微型化发展；此外，本发明降低了栅宽，减少了栅电容，进一步提升了器件工作速度。因此，本发明提出的

CN107248533B

CN107248533B权利要求书1/4页

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1.一种碳化硅VDMOS器件，其元胞结构包括：自下而上依次设置的金属漏电极(10)、N衬底(9)及N外延层(8);所述N外延层(8)上层一端具有第一Pbase区(7),所述N外延层(8)上层另一端具有第二Pbase区(71);所述第一Pbase区(7)中具有相互独立的第一N源区(6)和第一P*接触区(5);所述第二Pbase区(71)中具有相互独立的第二N源区(61)和第二P+接触区(51);所述第一P+接触区(5)和部分第一N源区(6)的上表面具有第一金属源电极(3);所述第二P接触区(51)和部分第二N+源区(61)的上表面具有第二金属源电极(31);其特征在于：还包括与第一Pbase区(7)上表面、第一N源区(6)部分上表面及N外延层(8)部分上表面相接触的第一栅极结构；所述第一栅极结构包括第一栅介质层(4)、位于第一栅介质层(4)上表面的第一多晶硅栅(2)和位于第一多晶硅栅(2)上表面的第一栅电极(1);还包括与第二Pbase区(71)上表面、第二N源区(61)部分上表面及N外延层(8)部分上表面相接触的第二栅极结构；所述第二栅极结构包括第二栅介质层(41)、位于第二栅介质层(41)上表面的第二多晶硅栅(21)和位于第二多晶硅栅(21)上表面的第二栅电极(11);还包括与第一栅极结构与第二栅极结构之间JFET区上表面接触形成Si/SiC异质结的P多晶硅层(12),所述P+多晶硅层(12)上表面具有金属电极(13),所述P+多晶硅层(12)及金属电极(13)分别与第一金属源电极(3)和第二金属源电极(31)连接；各金属结构之间以及P+多晶硅层(12)与两个多晶硅栅(2、21)通过介质相互隔离；

N外延层(8)内还具有分别设于第一Pbase区(7)下方和第二Pbase区(71)下方并形成超结或者半超结结构的第一P型碳化硅区(16)和第二P型碳化硅区(161);

P+多晶硅层(12)内还具有与N外延层(8)相接触的第一介质层(14)和第二介质层(15);所述第一介质层(14)和第二介质层(15)的材料为氮化硅、二氧化铪或三氧化二铝。

2.一种碳化硅VDMOS器件，其元胞结构包括：自下而上依次设置的金属漏电极、P+衬底及P-外延层；所述P-外延层上层一端具有第一Nbase区，所述P-外延层上层另一端具有第二Nbase区；所述第一Nbase区中具有相互独立的第一P源区和第一N接触区；所述第二Nbase区中具有相互独立的第二P源区和第二N+接触区；所述第一N接触区(5)和部分第