CN107293550A 存储器元件及其制作方法 （旺宏电子股份有限公司）.docxVIP

(19)中华人民共和国国家知识产权局

(12)发明专利申请

(10)申请公布号CN107293550A

(43)申请公布日2017.10.24

(21)申请号201610879742.5

(22)申请日2016.10.09

(30)优先权数据

15/096,7852016.04.12US

(71)申请人旺宏电子股份有限公司

地址中国台湾新竹科学工业园区力行路16

号

(72)发明人陈士弘

(74)专利代理机构中科专利商标代理有限责任公司11021

代理人乔东峰

(51)Int.CI.

HO1L27/11551(2017.01)

H01L27/11556(2017.01)

权利要求书4页说明书15页附图13页

(54)发明名称

(57)摘要一种存储器元件，可减少三维垂直通道存储

(57)摘要

一种存储器元件，可减少三维垂直通道存储器元件相邻二区块之间的顶部导电结构。在一些实施例中，垂直的柱状体和串行选择线以及字线交叉，并且排列于一个被旋转的网格中，而形成“扭曲”的柱状体阵列。此处所述的三维NAND阵列结构呈现波浪状，顺着排列外缘柱状体的波浪线延伸。例如，串行选择线、字线、接地选择线和接地线任何一者具有波浪形状的侧边。

CN

CN107293550A

36B

24A

36A一

35Ac

35A一

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CN107293550A权利要求书1/4页

2

1.一种存储器元件，包括：

一NAND串行阵列，位于多条位线下方，所述位线沿着一位线方向延伸；

多条串行选择线和多条字线，包括建构于多个导电层中的多个导电条带；

一第一分页，包括该NAND串行阵列中的多条NAND串行，延伸穿过所述导电层，耦接至所述串行选择线中的一第一串行选择线；该第一分页中的所述NAND串行设置在一第一网格(grid)之中，该第一网格相对于该位线方向偏离了一偏离角度(off-angle);且所述串行选择线的所述导电条带分别具有至少一弯曲侧边(curvedsides)。

2.如权利要求1所述的存储器元件，其特征在于，所述字线的所述导电条带分别具有至少一弯曲侧边。

3.如权利要求1所述的存储器元件，其特征在于，该NAND串行阵列中的所述NAND串行具有多个接地选择开关，所述接地选择开关包括多个导电条带位于所述导电层中，且所述接地选择开关中的所述导电条带分别具有至少一弯曲的侧边。

4.如权利要求1所述的存储器元件，其特征在于，还包括一第二分页耦接至所述串行选择线中的一第二串行选择线，该第二串行选择线与该第一选择线邻接，且包含多个导电条带分别具有至少一弯曲侧边；

所述位线叠置于该第一分页和该第二分页之上，并且彼此之间具一位线间距(bitlinepitch),每一所述位线分别只与该第一分页和该第二分页中的一对应的NAND串行连接；

其中，该第二分页包括一第二网格，且该第一该网格和该第二网格二者皆为一规律网格；每一所述规律网格具有一第一横向维度(lateraldimensions)和一第二横向维度，分别相对于该位线方向旋转一锐角偏离角度和一钝角偏离角度；并分别在该第一横向维度和该第二横向维度上具有一第一横向间距和一第二横向间距，且该位线间距小于该第二横向间距；

其中，该第一分页包括一第一外缘NAND串行子集，配置于一第一波浪线上，该第一波浪线因该偏离角度而与该位线方向交叉；该第一串行选择线的所述导电条带的所述弯曲侧边的集合为一第一侧边，位于该第一串行选择线和该第二串行选择线之间，并顺着该第一波浪线延伸；以及

其中，该第二分页包括一第二外缘NAND串行子集，配置于一第二波浪线上，该第二波浪线因该偏离角度而与该位线方向交叉；该第二串行选择线的所述导电条带的所述弯曲侧边的集合为一第二侧边，位于该第一串行选择线和该第二串行选择线之间，并顺着该第二波浪线延伸。

5.如权利要求1所述的存储器元件，其特征在于，还包括一第二分页包括该NAND串行阵列中的多条NAND串行，设置在一第二网格之中，该二网格邻接该第一网格；

其中该第一网格包括一第一外缘NAN串行子集，配置于一第一波浪线上，该第一波浪线具有至少一波峰(crest)和一波谷(trough)相对于垂直该位线方向的一第一直线；以及包括一第二外缘NAND串行子集，配置于一第二波浪线上，该第二波浪线具有至少一波峰和至少一波谷相对于垂直该位