CN106128957B 一种GaAs纳米线的制作方法 （东莞华南设计创新院）.docxVIP

(19)中华人民共和国国家知识产权局

(12)发明专利

(45)授权

(10)授权公告号CN106128957B公告日2019.02.01

(21)申请号201610615915.2

(22)申请日2016.07.29

(65)同一申请的已公布的文献号申请公布号CN106128957A

(43)申请公布日2016.11.16

(73)专利权人东莞华南设计创新院

地址523000广东省东莞市松山湖高新技

术产业开发区生产力大厦北区一楼专利权人广东工业大学

(72)发明人王勇王瑛丁超

(74)专利代理机构广东莞信律师事务所44332代理人曾秋梅

(51)Int.CI.

H01L21/335(2006.01)

HO1L21/306(2006.01)

审查员张竞存

权利要求书1页说明书3页附图1页

(54)发明名称

一种GaAs纳米线的制作方法

(57)摘要

CN106128957B本发明公布了一种GaAs纳米线制作方法，该制作方法步骤如下：准备一砷化镓衬底、一InGaP缓冲层和一砷化镓沟道层的材料结构；在砷化镓沟道层中刻蚀出50纳米宽的脊状图形；然后在臭氧去胶机中进行20分钟的处理；采用浓盐酸清洗1分钟，稀盐酸清洗2分钟；在臭氧去胶机中进行20分钟的臭氧处理；采用浓盐酸清洗1分钟，稀盐酸清洗2分钟；在臭氧去胶机中进行20分钟的臭氧处理，再采用稀释的磷酸进行清洗的方法处理

CN106128957B

制备InGaP/GaAs外延材料

制备InGaP/GaAs外延材料

刻蚀出InGaP/GaAs脊状图形

臭氧处理20分钟

浓盐酸腐蚀InGaP

臭氧处理20分钟

稀盐酸清洗

臭氧处理20分钟，稀磷酸清洗，处理5-10次

结束

CN106128957B权利要求书1/1页

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1.一种GaAs纳米线制作方法，其步骤如下：

(1)准备一砷化镓衬底上外延有50纳米厚InGaP缓冲层和50纳米厚的砷化镓沟道层的晶圆片；

(2)在砷化镓沟道层中刻蚀出50纳米宽的脊状图形；

(3)在臭氧去胶机中进行20分钟的处理；

(4)采用浓盐酸清洗1分钟，稀盐酸清洗2分钟，腐蚀去掉GaAs纳米线下的InGaP层；

(5)在臭氧去胶机中进行20分钟的臭氧处理；

(6)采用浓盐酸清洗1分钟，稀盐酸清洗2分钟；

(7)在臭氧去胶机中进行20分钟的臭氧处理，再采用稀释的磷酸进行清洗的方法处理5-10次，对GaAs纳米线进行细化。

2.根据权利要求1所述的一种GaAs纳米线制作方法，其特征在于所述臭氧处理过程中，对GaAs表面的氧化速率为0.1纳米/分钟。

3.根据权利要求1所述的一种GaAs纳米线制作方法，其特征在于所述稀盐酸溶液的配比为盐酸：水=1:10。

4.根据权利要求1所述的一种GaAs纳米线制作方法，其特征在于所述稀释的磷酸的配比为磷酸：水=1:10。

CN106128957B说明书1/3页

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一种GaAs纳米线的制作方法

技术领域

[0001]本发明涉及半导体集成电路制造技术领域，具体涉及一种砷化镓纳米线的制作方法，应用于高性能III-V族半导体CMOS技术。

背景技术

[0002]Ⅲ-V化合物半导体材料相对硅材料而言，具有高载流子迁移率、大的禁带宽度等优点，而且在热学、光学和电磁学等方面都有很好的特性。近年来，随着III-V族MOSFET器件研究的不断推进，III-V族MOS界面特性取得了巨大进展，界面态密度已经降低到1-3×1011eV·cm?2;III-V族MOS器件的结构已经从平面器件逐步推进到纳米线MOS器件。最新研究报道表明：硅基半导体器件在10纳米技术节点以后的器件结构可能是FinFET器件或者纳米线器件结构。然而III-V族半导体由于其各晶向的腐蚀异性，造成了制作纳米线的困难。因此，需要一种新的途径在III-V族半导体材料上实现纳米线结构，以满足高性能III-V族半导体纳米线MOS器件技术的要求。

发明内容

[0003](一)要解决的技术问题

[0004]本发明的主要目的是提供一种砷化镓纳米线的制作方法，以实现以砷化镓纳米为沟道的CMOS器件，提高