CN107275406B 一种碳化硅TrenchMOS器件及其制作方法 （电子科技大学）.docxVIP

(19)中华人民共和国国家知识产权局

(12)发明专利

(45)授权

(10)授权公告号CN107275406B公告日2019.11.01

(21)申请号201710433417.0

(22)申请日2017.06.09

(65)同一申请的已公布的文献号申请公布号CN107275406A

(43)申请公布日2017.10.20

(73)专利权人电子科技大学

地址611731四川省成都市高新区(西区)

西源大道2006号

(72)发明人张金平邹华刘竞秀李泽宏任敏张波

(74)专利代理机构成都点睛专利代理事务所(普通合伙)51232

代理人葛启函

(51)Int.CI.

H01L29/78(2006.01)

HO1L29/423(2006.01)

HO1L29/06(2006.01)

HO1L29/16(2006.01)

HO1L21/336(2006.01)

(56)对比文件

CN103493208A,2014.01.01,

WO2014/178262A1,2014.11.06,审查员梁庆然

权利要求书3页说明书13页附图9页

(54)发明名称

一种碳化硅TrenchMOS器件及其制作方法

(57)摘要

CN107275406B本发明公开了碳化硅TrenchMOS器件及其制作方法，属于功率半导体技术领域。本发明通过在外延层内部增设凸型多晶硅区，并在凸型多晶硅区的凹槽内设置两个独立的沟槽栅，进而使得多晶硅层与外延层形成Si/SiC异质结。相比直接利用碳化硅TrenchMOS的寄生碳化硅二极管，本发明显著降低了器件二极管应用时的结压降，且较大的异质结结面积改善了器件导通特性；本发明基于凸型多晶硅区的电荷屏蔽作用，减小了其栅-漏电容和栅-漏与栅-源电容的比值，显著提高了器件的性能和可靠性；本发明器件为单极导电，故还具有较好的反向恢复性能同时兼具传统TrenchMOS器件反向漏电低，击穿电压高和器

CN107275406B

CN107275406B权利要求书1/3页

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1.一种碳化硅TrenchMOS器件，其元胞结构包括：自下而上依次设置的金属漏电极 (7)、N衬底(6)及N外延层(5);所述N外延层(5)上层一端具有第一Pbase区(4),所述N外延层(5)上层另一端具有第二Pbase区(41);所述第一Pbase区(4)中具有相互独立的第一N+源区(3)和第一P+接触区(2);所述第二Pbase区(41)中具有相互独立的第二N源区(31)和第二P+接触区(21);所述第一P+接触区(2)和第一N+源区(3)的上表面具有第一金属源电极(1);所述第二P+接触区(21)和第二N源区(31)的上表面具有第二金属源电极(1a);其特征在于：在两个Pbase区(4、41)中间位置下方的N外延层(5)内具有呈凸型的P型多晶硅区(11),所述P型多晶硅区(11)深度分别大于第一Pbase区(4)或者第二Pbase区(41)的深度，P型多晶硅区(11)分别通过金属电极(12)与两个金属源极(1、1a)连接；所述P型多晶硅区(11)的下方设有与之相接触的P+碳化硅区(13)或者介质层(14);所述P型多晶硅区(11)两个凹槽内还分别具有第一Trench栅结构和第二Trench栅结构；所述第一Trench栅结构包括第一栅介质层(10)、设于第一栅介质层(10)内部的第一多晶硅栅(9)以及设于部分第一多晶硅栅(9)上表面的第一金属栅极(8);所述第二Trench栅结构包括第二栅介质层(101)、设于第二栅介质层(101)内部的第二多晶硅栅(91)以及设于部分第二多晶硅栅(91)上表面的第二金属栅极(81);各金属接触通过介质相互隔离形成左右对称的元胞结构。

2.根据权利要求1所述的一种碳化硅TrenchMOS器件，其特征在于，P+碳化硅区(13)或者介质层(14)的宽度大于或者等于P型多晶硅区(11)的底部宽度。

3.根据权利要求1或2所述的一种碳化硅TrenchMOS器件，其特征在于，器件表面具有连续或者不连续的沟槽，使得元胞排列为条形排列、方形排列、品字型排列、六角形排列或者原子晶格排列。

4.根据权利要求3所述的一种碳化硅TrenchMOS器件，其特征在于，上述