CN105870181A 一种平面栅igbt及其制作方法 （电子科技大学）.docxVIP

(19)中华人民共和国国家知识产权局

(12)发明专利申请

(10)申请公布号CN105870181A

(43)申请公布日2016.08.17

(21)申请号201610414453.8

(22)申请日2016.06.13

(71)申请人电子科技大学

地址611731四川省成都市高新区(西区)

西源大道2006号

(72)发明人张金平陈文梅黄孟意田丰境刘竞秀李泽宏任敏张波

(74)专利代理机构成都点睛专利代理事务所(普通合伙)51232

代理人葛启函

(51)Int.CI.

HO1L29/739(2006.01)

HO1L29/417(2006.01)

HO1L21/331(2006.01)

HO1L29/423(2006.01)

权利要求书2页说明书6页附图4页

(54)发明名称

一种平面栅IGBT及其制作方法

(57)摘要

CN105870181A本发明属于功率半导体器件技术领域，涉及一种平面栅IGBT及其制作方法。本发明在传统平面栅IGBT器件结构的基础上，在器件JFET区氧化层的上部部分区域引入与发射极连接的电极，所述发射极连接电极与栅极在垂直于MOS沟道长度方向形成间隔分布，在JFET区通过在垂直于MOS沟道长度方向上从栅极往发射极连接电极方向的横向载流子扩散，本发明结构在不影响器件正向导通特性的条件下，减小了器件的栅极电容，特别是栅极-集电极电容，提高了器件的开关速

CN105870181A

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CN105870181A权利要求书1/2页

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1.一种平面栅IGBT,包括：从下至上依次层叠设置的背部集电极金属(10)、P型集电区(9)、N型场阻止层(8)和N-漂移区(7);所述N-漂移区(7)上层两侧具有p型基区(4),所述p型基区(4)上层具有相互独立的N+发射区(3)和P+发射区(2);所述N+发射区(3)和P+发射区(2)上表面具有发射极金属(1);其特征在于，位于两侧的发射极金属(1)之间的半导体表面具有复合栅极结构，复合栅极结构与发射极金属(1)之间具有间距；所述复合栅极结构包括介质层(5)以及位于介质层(5)之上的栅电极(6)、电极(11)和介质层(12),所述栅电极(6)、电极(11)和介质层(12)在平行于MOS沟道长度方向的元胞中心左右对称；所述介质层(5)的下表面与部分N+发射区(3)、p型基区(4)和N-漂移区(7)的上表面相连；沿器件纵向方向，电极(11)和栅电极(6)分别位于器件两端，同时沿器件横向方向，电极(11)的两侧被栅电极(6)包围，所述电极(11)与栅电极(6)之间通过介质层(12)隔离；电极(11)的正下方为N-漂移区(7);所述电极(11)和所述栅电极(6)在平行于MOS沟道长度方向的长度大于其在垂直于MOS沟道长度方向的长度，并且所述电极(11)在平行于MOS沟道长度方向的长度是其在垂直于MOS沟道长度方向长度的4倍以上；所述电极(11)与发射极金属(1)电气连接。

2.根据权利要求1所述的一种平面栅IGBT,其特征在于：在所述介质层(5)和N-漂移区(7)之间还具有一层N型层(13),所述N型层(13)的掺杂浓度大于N-漂移区(7)的掺杂浓度；并且在器件横向方向p型基区(4)之间的所述N-漂移区(7)中还具有一层p型埋层(14),所述p型埋层(14)与p型基区(4)之间具有一定的距离，在器件纵向方向所述p型埋层(14)不连续并均匀分布在N-漂移区(7)中，所述p型埋层(14)通过上表面与N型层(13)相接触，所述p型埋层(14)的结深不大于p型基区(4)的结深。

3.根据权利要求1-2所述的一种平面栅IGBT,其特征在于：在所述p型埋层(14)之间、p型埋层(14)的两侧与p型基区(4)之间的N-漂移区(7)中还具有一层N型埋层(15),所述N型埋层(15)通过上表面与N型层(13)相接触并且其结深不大于p型埋层(14)的结深，所述N型埋层(15)的掺杂浓度大于N-漂移区(7)的浓度，所述N型埋层(15)的掺杂浓度不大于N型层(13)的掺杂浓度。

4.根据权利要求1-3所述的一种平面栅IGBT,其特征在于：沿器件纵向方向，所述栅电极(6)沿电极(11)的中部延伸入电极(11)中，使电极(11)在器件的俯视图中呈“凹”字形。

5.根据权利要求