CN105023843A 半导体元件的制作方法 （联华电子股份有限公司）.docxVIP

(19)中华人民共和国国家知识产权局

(12)发明专利申请

(10)申请公布号CN105023843A

(43)申请公布日2015.11.04

(21)申请号201410163083.6

(22)申请日2014.04.22

(71)申请人联华电子股份有限公司

地址中国台湾新竹科学工业园区

(72)发明人简金城吴俊元郭敏郎

(74)专利代理机构北京市柳沈律师事务所

11105

代理人陈小雯

(51)Int.CI.

HO1LHO1L

21/336(2006.01)

29/36(2006.01)

权利要求书1页说明书5页附图5页

(54)发明名称

半导体元件的制作方法

(57)摘要

CN105023843A本发明公开一种半导体元件的制作方法，包含有以下步骤。首先提供一基底，该基底上包含有至少一鳍片(fin)层与多个栅极电极。接下来进行一倾斜与扭转(tiltandtwist)离子注入制作工艺，以于该鳍片层内形成多个掺杂区。在形成该

CN105023843A

A-A

CN105023843A权利要求书