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2025年半导体芯片制造工职业技能考试题(含答案)

一、单项选择题（每题1分，共30分）

1.在0.18μmCMOS工艺中，栅氧厚度通常控制在多少纳米范围内才能满足5V器件的可靠性要求？

A.1.2–1.6nm

B.3.2–4.0nm

C.6.5–7.5nm

D.9.0–10.0nm

答案：B

2.当晶圆进入LPCVD炉管时，若炉温设定为780℃，实际热电偶读数偏低15℃，对沉积的TEOSSiO?膜厚影响最准确的描述是：

A.厚度降低约3%

B.厚度基本不变

C.厚度增加约7%

D.厚度增加约15%

答案：C

3.在KrF光刻胶曝光过程中，若NA从0.75提升到0.85，k?保持0.4，λ=248nm，则理论分辨率提升约为：

A.8nm

B.12nm

C.18nm

D.25nm

答案：B

4.下列哪一项不是Cu双大马士革工艺中Ta/TaN双层阻挡层的功能？

A.抑制Cu向介电层扩散

B.提高Cu与低k材料的粘附性

C.降低Cu线的电阻率

D.作为CMP停止层

答案：C

5.在离子注入后快速热退火（RTA）中，若峰值温度升高50℃，对激活B?注入（5keV，1×101?cm?2）的结深影响是：

A.增加约2