CN104979161A 半导体器件的制作方法及tiigbt的制作方法 （江苏中科君芯科技有限公司）.docxVIP

(12)发明专利申请(19)中华人民共和国国家知识产权局

(12)发明专利申请

(10)申请公布号CN104979161A

(43)申请公布日2015.10.14

(21)申请号201410136330.3

(22)申请日2014.04.04

HO1L21/331(2006.01)

(71)申请人江苏中科君芯科技有限公司

地址214135江苏省无锡市新区菱湖大道

200号中国传感网国际创新园C座

C1001

申请人江苏物联网研究发展中心

中国科学院微电子研究所

(72)发明人张文亮朱阳军卢烁今

(74)专利代理机构北京集佳知识产权代理有限

公司11227代理人王宝筠

(51)Int.CI.

HO1L21/02(2006.01)

HO1L21/683(2006.01)

权利要求书2页说明书8页附图4页

(54)发明名称

半导体器件的制作方法及TI-IGBT的制作方法

(57)摘要

CN104979161A本发明提供一种半导体器件的制作方法及TI-IGBT的制作方法，在半导体衬底的一个表面上制作完成第一表面结构后，在该表面结构上键合一个支撑片，然后再减薄所述半导体衬底上与所述支撑片相对的一侧，在减薄后的表面内制作第二表面结构，在上述制作方法中，由于第一表面结构是在减薄前的半导体衬底上制作形成，第二表面结构在键合有支撑片的减薄片上制作形成，也即，两个表面结构均在厚度较厚的衬底上制作形成，从而避免了对较薄的半导体衬底进行加工，

CN104979161A

CN104979161A权利要求书1/2页

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1.一种半导体器件的制作方法，其特征在于，包括：

提供半导体衬底和支撑片；

在所述半导体衬底的第一表面形成第一表面结构；

采用键合工艺将所述形成有第一表面结构的半导体衬底的第一表面与所述支撑片键合；

减薄所述半导体衬底上与所述第一表面相对的一侧至所述半导体衬底的厚度为所述半导体器件的耐压厚度；

在减薄后的半导体衬底的第二表面上形成第二表面结构；

去掉所述支撑片，暴露出所述第一表面结构；

其中，所述第一表面结构为半导体器件的正面结构或背面结构。

2.根据权利要求1所述的制作方法，其特征在于，所述第一表面结构为所述半导体器件的背面结构，所述第二表面结构为半导体器件的正面结构。

3.根据权利要求2所述的制作方法，其特征在于，所述键合工艺为直接键合工艺、场致键合工艺或低温键合工艺。

4.根据权利要求1所述的制作方法，其特征在于，所述去掉所述支撑片的具体方法为：采用减薄工艺减薄所述支撑片，通过抛光工艺将减薄后的支撑片磨掉，以暴露出所述

第一表面结构。

5.根据权利要求1所述的制作方法，其特征在于，所述半导体衬底的材料为B、Si、Ge、Te、GaAs、InP、SiC、Ge-Si、GaN、金刚石、GaP中的任意一种。

6.根据权利要求5所述的制作方法，其特征在于，所述支撑片的材料与所述半导体衬底的材料相同。

7.根据权利要求6所述的制作方法，其特征在于，所述支撑片为单晶硅片。

8.一种TI-IGBT的制作方法，其特征在于，包括：

提供半导体衬底和支撑片；

对所述半导体衬底的进行掺杂，形成漂移区；

在所述漂移区的一个表面内形成TI-IGBT的第一表面结构；

采用键合工艺将TI-IGBT的第一表面结构与所述支撑片键合；

减薄所述漂移区背离所述第一表面结构的一侧至所述半导体衬底的厚度为所述TI-IGBT的耐压厚度；

在减薄后的漂移区表面内制作第二表面结构；

去掉所述支撑片，暴露出所述第一表面结构；

其中，所述第一表面结构为掺杂类型相反且并列排布的两个集电极，或所述第一表面结构为包括基区和发射区的TI-IGBT正面结构。

9.根据权利要求8所述的TI-IGBT制作方法，其特征在于，当所述第一表面结构为掺杂类型相反且并列排布的两个集电极时，所述在所述漂移区的一个表面内形成IGBT的第一表面结构步骤之前还包括：在所述漂移区需要形成集电极的表面内形成缓冲层。

10.根据权利要求9所述的TI-IGBT制作方法，其特征在于，所述形成缓冲层具体为：通过双面扩散工艺在所述漂移区的两个表面同时引入杂质，形成缓冲层。

11.根据权利要求8所述的TI-IGBT制作方法，其特征在于，所述半导体衬底和所述支

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