CN104752175A 一种制作半导体器件的方法 （中芯国际集成电路制造(上海)有限公司）.docxVIP

(19)中华人民共和国国家知识产权局

(12)发明专利申请

(43)申请公

(10)申请公布号CN104752175A布日2015.07.01

(21)申请号201310738844.1

(22)申请日2013.12.27

(71)申请人中芯国际集成电路制造(上海)有限公司

地址201203上海市浦东新区张江路18号

(72)发明人赵杰宋伟基

(74)专利代理机构北京市磐华律师事务所

11336

代理人董巍高伟

(51)Int.CI.

HO1L21/28(2006.01)

权利要求书1页说明书8页附图5页

(54)发明名称

一种制作半导体器件的方法

CN104752175A本发明涉及一种制作半导体器件的方法，根据本发明提出了一种新的去除Core区域中虚拟栅极材料层的方法，采用沉积底部抗反射涂层覆盖IO器件区域来去除Core区域中的虚拟栅极材料层和虚拟栅极氧化层，以避免对半导体器件产

CN104752175A

CN104752175A权利要求书1/1页

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1.一种制作半导体器件的方法