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基于第一性原理计算探究AlN稀磁半导体掺杂磁性机制与特性

一、引言

1.1研究背景

稀磁半导体（DilutedMagneticSemiconductors，DMS），亦被称作半磁半导体，是一类在传统半导体基础上，通过部分替代非磁性阳离子，引入磁性过渡族金属离子或稀土金属离子而形成的新型半导体材料。这种独特的材料设计，赋予了稀磁半导体半导体和磁性材料的综合特性，使其在自旋电子学领域展现出巨大的应用潜力，引发了科学界和工业界的广泛关注。

稀磁半导体的研究历史可以追溯到20世纪60年代，当时前苏联和波兰的科学家率先对磁性半导体材料的电学和光学性质展开研究。不过，早期研究主要聚焦于天然矿石，如硫族Eu或Cr的硫族化合物，这些材料的居里温度大多在100K以下，导电特性趋近于绝缘体，极大地限制了其实际应用。进入20世纪80年代，研究人员开始关注稀磁半导体，即少量磁性元素与Ⅱ-Ⅵ族非磁性半导体形成的合金，如(Cd,Mn)Te、(Zn,Mn)Se等。这些Ⅱ-Ⅵ族DMS被视为第二代磁性半导体，尽管它们保持了闪锌矿或纤锌矿结构，但由于替代的磁性Mn离子处于稳定的二价态，既不提供载流子，也不束缚载流子，导致产生的载流子数量稀少且难以控制，使得这类稀磁半导体常呈现绝缘体特性。

20世纪80年代末和90年代中期，利用低温分子束外延技术（LT-MBE）生长的Mn掺杂Ⅲ-Ⅴ族DMS，如(In,Mn)As、(Ga,Mn)As等，引起了广泛关注，它们被称为第三代磁性半导体。然而，目前(In,Mn)As、(Ga,Mn)As的居里温度分别低于90K和173K，远不能满足实际工作需求。为了克服这一挑战，提高DMS的居里温度、探索新的磁性半导体材料，成为当前半导体自旋电子学研究的热点。

AlN作为一种直接带隙宽禁带（~6.2eV）的Ⅲ-Ⅴ族半导体材料，在短波长光电子器件领域具有重要应用价值。将磁性离子掺杂到AlN中形成的AlN基稀磁半导体，不仅有望结合AlN的宽禁带特性和稀磁半导体的自旋相关特性，还可能展现出独特的磁光效应和磁输运性质，在高密度非易失性存储器、自旋电子器件、磁感应器、光隔离器件、半导体激光器集成电路以及量子计算机等领域具有重大的潜在应用。

近年来，随着材料制备技术和理论计算方法的不断发展，AlN基稀磁半导体的研究取得了一定进展。通过分子束外延法（MBE）、化学气相沉积法（CVD）、磁控溅射法等多种方法，成功制备出了一系列AlN基稀磁半导体材料，并对其结构、磁性和电学性质进行了研究。实验重复性差、磁性来源不明确、居里温度较低等问题，仍然制约着AlN基稀磁半导体的进一步发展和应用。因此，深入研究掺杂AlN稀磁半导体的磁性，揭示其磁性来源和规律，对于推动AlN基稀磁半导体的发展和应用具有重要意义。

1.2研究目的与意义

本研究旨在通过第一性原理计算，深入探究掺杂AlN稀磁半导体的磁性，揭示其磁性来源和规律，为AlN基稀磁半导体的材料设计和应用提供坚实的理论依据。具体而言，研究目的包括以下几个方面：

探究不同掺杂元素对AlN稀磁半导体磁性的影响：系统研究过渡金属元素、稀土元素等不同类型的掺杂元素，在不同掺杂浓度下对AlN晶体结构、电子结构和磁性的影响，明确掺杂元素种类和浓度与磁性之间的关系。

揭示掺杂AlN稀磁半导体的磁性来源：通过对电子结构的分析，深入探讨掺杂AlN稀磁半导体中磁性的起源，阐明局域自旋磁矩与载流子之间的自旋-自旋交换相互作用机制，以及这种相互作用如何导致材料呈现出磁性。

探索提高掺杂AlN稀磁半导体居里温度的方法：基于理论计算结果，探索通过改变掺杂元素、调整掺杂浓度或引入缺陷等方式，提高掺杂AlN稀磁半导体居里温度的有效途径，为实现室温铁磁性提供理论指导。

本研究具有重要的理论和实际意义：

理论意义：通过第一性原理计算，深入研究掺杂AlN稀磁半导体的磁性，有助于揭示稀磁半导体中磁性与电子结构之间的内在联系，丰富和完善稀磁半导体的理论体系，为进一步理解自旋-电子相互作用提供理论支持。

实际意义：研究结果将为AlN基稀磁半导体的材料设计和制备提供重要的理论依据，有助于指导实验工作者制备出具有优异磁性和电学性能的AlN基稀磁半导体材料，推动其在自旋电子器件、磁存储、光电器件等领域的实际应用，为相关产业的发展提供新的材料选择和技术支持。

1.3国内外研究现状

在掺杂AlN稀磁半导体磁性计算方面，国内外研究人员已经开展了大量的工作。

在实验研究方面，多种制备方法被用于合成掺杂AlN稀磁半导体材料。钟伟明等人采用射频磁控溅射的方法制备了