CN104752175B 一种制作半导体器件的方法 （中芯国际集成电路制造(上海)有限公司）.docxVIP

(19)中华人民共和国国家知识产权局

(12)发明专利

(45)授权

(10)授权公告号CN104752175B公告日2018.04.13

(21)申请号201310738844.1

(22)申请日2013.12.27

(65)同一申请的已公布的文献号申请公布号CN104752175A

(43)申请公布日2015.07.01

(73)专利权人中芯国际集成电路制造(上海)有限公司

地址201203上海市浦东新区张江路18号

(72)发明人赵杰宋伟基

(74)专利代理机构北京市磐华律师事务所

11336

代理人董巍高伟

(51)Int.CI.

HO1L21/28(2006.01)

(56)对比文件

US2012220113

US2009186458

US2010015789

CN101714527

US2011250725

审查员罗慧晶

权利要求书1页

A1,2012.08.30,

A1,2009.07.23,

A1,2010.01.21,

A,2010.05.26,

A1,2011.10.13,

说明书8页附图5页

(54)发明名称

一种制作半导体器件的方法

(57)摘要

CN104752175B本发明涉及一种制作半导