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国家标准《碳化硅粉》编制说明（征求意见稿）

一、工作简况

1.立项目的和意义

碳化硅材料具有禁带宽度大、击穿场强高、迁移率快、热导率高等优点。半绝缘型和导

电型两类产品可满足射频器件和电力电子器件制造需求，广泛应用于5G通信、雷达电子、

新能源汽车、储能等领域，关系国防安全和国民经济建设。碳化硅衬底作为战略性材料，自

主可控是保证国家重点产业链、重大任务实施的关键，也是保障国家经济建设的核心。目前

碳化硅单晶衬底6英寸已经实现量产，8英寸已经实现小批量生产，12英寸已经研发成功，

大尺寸是碳化硅衬底制备技术的重要发展方向。因为衬底尺寸越大，单位衬底可制造的芯片

数量就越多，芯片成本越低。而且衬底尺寸越大，边缘浪费就越小，有利于进一步降低芯片

成本。随着新能源汽车、储能等领域的爆发式增长，碳化硅器件的需求将会持续上升。据预

计，2027年全球碳化硅功率半导体市场规模将达到千亿规模，2030年将达到3000亿级规模。

碳化硅将成为能源革命的重要支柱产业。

碳化硅粉是进行碳化硅衬底生长的主要原料。目前行业内主要采用物理气相传输（PVT）

法，将碳化硅粉合成为碳化硅单晶晶锭，通过滚圆、切割、研磨、抛光、清洗达到表面粗糙

度小于0.1nm的碳化硅单晶衬底。

碳化硅粉一般是由碳粉和硅粉按照1:1比例在