CN102437019A 基于机械弯曲台的SiN埋绝缘层上单轴应变SGOI晶圆的制作方法 （西安电子科技大学）.docxVIP

(19)中华人民共和国国家知识产权局

(12)发明专利申请

(10)申请公布号CN102437019A

(43)申请公布日2012.05.02

(21)申请号201110361521.6

(22)申请日2011.11.16

(71)申请人西安电子科技大学

地址710071陕西省西安市太白南路2号

(72)发明人戴显英李志邵晨峰王船宝郝跃张鹤鸣王晓晨

(51)Int.CI.

HO1L21/02(2006.01)

HO1L21/74(2006.01)

权利要求书1页说明书6页附图4页

(54)发明名称

基于机械弯曲台的SiN埋绝缘层上单轴应变SGOI晶圆的制作方法

(57)摘要

CN102437019A本发明公开了一种基于机械弯曲台的SiN埋绝缘层上单轴应变SGOI晶圆的制作方法，包括以下步骤：1)SGOI晶圆顶层SiGe层面向上或向下放置在弧形弯曲台上；2)两根圆柱形不锈钢压杆分别水平放置在SGOI晶圆两端，距SGOI晶圆边缘1cm;3)缓慢旋动连接压杆的螺帽，使SGOI晶圆沿弧形台面逐渐弯曲，直至SGOI晶圆完全与弧形台面贴合；4)载有SGOI晶圆的弧形弯曲台放置在退火炉中进行退火；5)退火结束后缓慢降温至室温，取出载有SGOI晶圆片的弧形弯曲台；6)旋动连接压杆的螺帽，将压杆缓慢提升，直至弯曲的SGOI晶圆回复原状。本发明具有如下优点：1)热

CN102437019A

CN102437019A权利要求书1/1页

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1.一种基于机械弯曲台的SiN埋绝缘层上单轴应变SGOI晶圆的制作方法，其特征在于，包括以下步骤：1)SGOI晶圆顶层SiGe层面向上或向下放置在弧形弯曲台上；2)两根圆柱形不锈钢压杆分别水平放置在SGOI晶圆两端，距SGOI晶圆边缘1cm;3)缓慢旋动连接压杆的螺帽，使SGOI晶圆沿弧形台面逐渐弯曲，直至SGOI晶圆完全与弧形台面贴合；4)载有SGOI晶圆的弧形弯曲台放置在退火炉中进行退火，退火温度在250℃至1250℃范围内可任意选择；5)退火结束后缓慢降温至室温，取出载有SGOI晶圆片的弧形弯曲台；6)旋动连接压杆的螺帽，将压杆缓慢提升，直至弯曲的SGOI晶圆回复原状。

2.根据权利要求1所述的制作方法，其特征在于，所述的弯曲台的曲率半径可从1.2m到0.4m连续变化，其对应制作不同应变量的单轴应变SGOI晶圆；弯曲台材料采用ZG40Cr25Ni20耐热钢材料。

3.根据权利要求1所述的制作方法，其特征在于，所述步骤4)的退火工艺为：在250℃下退火10小时；或者在800℃下退火3小时；或者在1250℃下退火2小时。

4.根据权利要求1所述的制作方法，其特征在于，所述SGOI晶圆为4英寸、5英寸、6英寸、8英寸、12英寸的SGOI晶圆。

CN102437019A说明书1/6页

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基于机械弯曲台的SiN埋绝缘层上单轴应变SGOI晶圆的制作方法

技术领域

[0001]本发明属于微电子技术领域，涉及半导体材料制作工艺技术。具体的说是一种基于SiN(氮化铝)埋绝缘层的单轴应变SGOI(SiliconGermaniumOnInsulater,绝缘层上锗硅)晶圆制作的新方法，可用于制作超高速、低功耗、抗辐照半导体器件与集成电路所需的SGOI晶圆，能显著增强SGOI晶圆的电子迁移率与空穴迁移率，提高SGOI器件与电路的电学性能。

背景技术

[0002]应变SiGe(锗硅)以其器件与电路的工作频率高、功耗小、比GaAs价廉、与SiCMOS工艺兼容、成本低等诸多优点，在微波器件、移动通信、高频电路等产业领域有着广泛的应用前景和竞争优势。SiGe还是极优异的光电材料，在探测器、调制器、光波导、光发射器、太阳电池、光电集成等方面有着广泛的应用。

[0003]与体Si相比，SOI(SiliconOnInsulater,埋绝缘层上硅)器件与电路具有功耗低、抗干扰能力强、集成密度高、速度高、寄生电容小、工艺简单、抗辐照能力强、并可彻底消除体硅CMOS的闩锁效应等优点，在高速、低功耗、抗辐照等