CN102299171A 与cmos工艺兼容的硅纳米线器件及其制作方法 （上海华力微电子有限公司）.docxVIP

(19)中华人民共和国国家知识产权局

(12)发明专利申请

(10)申请公布号CN102299171A

(43)申请公布日2011.12.28

(21)申请号201110266243.6

(22)申请日2011.09.08

(71)申请人上海华力微电子有限公司

地址201203上海市浦东新区张江高科技园

区高斯路497号

(72)发明人曹永峰

(74)专利代理机构上海思微知识产权代理事务所(普通合伙)31237

代理人陆花

(51)Int.CI.

HO1L29/06(2006.01)

HO1L29/423(2006.01)

HO1L29/78(2006.01)

HO1L21/02(2006.01)

HO1L21/336(2006.01)

权利要求书1页说明书4页附图3页

(54)发明名称

与CMOS工艺兼容的硅纳米线器件及其制作方法

(57)摘要

CN102299171A本发明涉及一种与CMOS工艺兼容的硅纳米线器件及其制作方法，该种硅纳米线器件的硅纳米线高度降低、高宽比减小，硅纳米线的横向接触面增大，所述硅纳米线器件的制作工