CN102268656A Mocvd设备的喷淋头及其制作方法、使用方法 （中微半导体设备(上海)有限公司）.docxVIP

(19)中华人民共和国国家知识产权局

(12)发明专利申请

(10)申请公布号CN102268656A

(43)申请公布日2011.12.07

(21)申请号201110224912.3

(22)申请日2011.08.05

(71)申请人中微半导体设备(上海)有限公司

地址201201上海市浦东新区金桥出口加工

区(南区)泰华路188号

(72)发明人贺小明倪图强

(74)专利代理机构北京集佳知识产权代理有限公司11227

代理人骆苏华

(51)Int.CI.

C23C16/455(2006.01)

权利要求书2页说明书6页附图2页

(54)发明名称

MOCVD设备的喷淋头及其制作方法、使用方法

(57)摘要

CN102268656A本发明实施例提供一种MOCVD设备的喷淋头及其制作方法和使用方法，其中所述制作方法包括：制作喷淋头主体；在所述喷淋头主体表面形成可再生保护层，所述可再生保护层用于保护所述喷淋头主体免于MOCVD过程中化学反应气体和/或等离子体的刻蚀。形成的喷淋头包括：喷淋头主体；可再生保护层，位于所述喷淋头主体的外表，所述可再生保护层用于保护所述喷淋头主体。所述使用方法包括：在所述喷淋头使用一段时间后，对所述可再生材料层进行循环再生，在所述可再生材料层表面形成循环保护层。本发明实施例可以有效保护喷淋头，延长喷淋头的使用寿命，并且提高形成的外延层的质量和MOCVD

CN102268656A

S1

制作喷淋头主体

在所述喷淋头主体表面形成可再生保护层，所述可

再生保护层用于保护所述喷淋头主体免于MOCVD过

程中化学反应气体和/或等离子体的刻蚀

CN102268656A权利要求书1/2页

2

1.一种MOCVD设备的喷淋头的制作方法，其特征在于，包括：

制作喷淋头主体；

在所述喷淋头主体表面形成可再生保护层，所述可再生保护层用于保护所述喷淋头主体免于MOCVD过程中化学反应气体和/或等离子体的刻蚀。

2.如权利要求1所述的MOCVD设备的喷淋头的制作方法，其特征在于，所述可再生保护层的制作方法包括：

在所述喷淋头表面形成可再生材料层；所述可再生材料层的厚度范围为0.005～150毫米。

对所述可再生材料层进行初始再生操作，形成初始保护层，所述初始保护层与所述可再生材料层构成所述可再生保护层，所述初始保护层的厚度范围为0.001～30毫米。

3.如权利要求2所述的MOCVD设备的喷淋头的制作方法，其特征在于，所述可再生材料层的材质为合金材料或陶瓷材料，所述合金材料包括Y、Er、Rh、Ir中的一种或多种，所述陶瓷材料包括Y?O?、Er?O?、YF?中的一种或多种。

4.如权利要求2所述的MOCVD设备的喷淋头的制作方法，其特征在于，所述初始再生操作包括：

对所述可再生材料层进行加热，在加热的同时通入再生气体，所述再生气体与所述可再生材料层结合，形成初始保护层；或在对所述可再生材料层进行所述加热的同时在所述可再生材料层表面通入再生等离子体，所述再生等离子体与所述可再生材料层结合，形成初始保护层；或在所述可再生材料层表面通入再生等离子体，所述再生等离子体与所述可再生材料层结合，形成初始保护层。

5.如权利要求4所述的MOCVD设备的喷淋头的制作方法，其特征在于，所述再生气体为氧气、氟气中的一种或者两者的组合；所述再生等离子为氧离子、氟离子中的一种或两者的结合，所述加热温度范围为50～1200摄氏度。

6.如权利要求1所述的MOCVD设备的喷淋头的制作方法，其特征在于，所述可再生材料层通过利用焊接、电镀、轧制、滚压、溅射或沉积工艺制作，使所述再生材料层与喷淋头主体组合在一起。

7.一种MOCVD设备的喷淋头，其特征在于，包括：

喷淋头主体；

可再生保护层，位于所述喷淋头主体的外表，所述可再生保护层用于保护所述喷淋头主体免于MOCVD过程中化学反应气体和/或等离子体的刻蚀。

8.如权利要求7所述的MOCVD设备的喷淋头，其特征在于，所述可再生保护层包括：

可再生材料层，位于所述喷淋头主体的表面；所述可再生材料层的厚度可为0.005~150毫米；

初始保护层，位于所述可再生材料层表面，所述初始保护层与所述可再生材料层构成所述可再生保护层；所述初始保护层的厚度可为0.001～30毫米。

9.如权利要求8所述的MOCVD设备的喷淋头，其特