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- 2026-03-12 发布于重庆
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(19)中华人民共和国国家知识产权局
(12)发明专利申请
(10)申请公布号CN102261924A
(43)申请公布日2011.11.30
(21)申请号201110103949.0
(22)申请日2011.04.26
(71)申请人南京信息工程大学
地址210044江苏省南京市宁六路219号
(72)发明人王婷婷柯炜葛益娴
(74)专利代理机构南京经纬专利商标代理有限公司32200
代理人李纪昌
(51)Int.CI.
GO1D5/26(2006.01)
GO2B6/255(2006.01)
权利要求书1页说明书5页附图3页
(54)发明名称
一种基于实芯光子晶体光纤的法布里-珀罗干涉传感器及其制作方法
(57)摘要
CN102261924A本发明提供了一种光子晶体光纤法布里-珀罗干涉传感器及其制作方法。该传感器由一根普通通信单模光纤和一根实芯光子晶体光纤利用一定的熔接方法熔接起来构成。由于光子晶体光纤包层空气孔塌陷,两根光纤间形成空气腔构成F-P腔,光子晶体光纤和单模光纤的两个端面即空气腔的前后表面为F-P腔的两个反射面。所用的实芯光子晶体光纤由单一材料构成,温度变化时不会引起材料热膨胀系数之间的失配,因此这种干涉仪受温度变化影响小;制作过程仅用到光纤切割和熔接工艺,制备工艺简单;该传感器可获得高精细度、高对比度的干涉条纹,在大容量、
CN102261924A
CN102261924A权利要求书1/1页
2
1.一种基于实芯光子晶体光纤的法布里-珀罗干涉传感器,其特征在于:该传感器由一根普通通信单模光纤和一根实芯光子晶体光纤构成,两者的一端用光纤熔接机熔接连接,使得光子晶体光纤中的空气孔塌陷,两根光纤间的空气腔形成微型光纤法布里-珀罗干涉腔,光子晶体光纤和单模光纤的两个端面即空气腔的前后表面为微型法布里-珀罗干涉腔的两个反射面,其干涉腔为椭球腔,腔长8μm-20μm,反射凹面曲率半径和腔长接近相等。
2.根据权利要求1所述的一种基于实芯光子晶体光纤的法布里-珀罗干涉传感器,其特征在于所述的普通通信单模光纤为SMF,实芯光子晶体光纤为SM-7.0。
3.根据权利要求2所述的一种基于实芯光子晶体光纤的法布里-珀罗干涉传感器,其特征在于所述的法布里-珀罗干涉传感器的带宽为2.1nm,精细度为47,对比度为30dB。
4.一种基于实芯光子晶体光纤的法布里一珀罗干涉传感器的制作方法,其特征在于:该方法包括以下步骤:
(1)首先将待切割的实芯光子晶体光纤和普通通信单模光纤的一端部分浸入丙酮中,一分钟后用试镜纸除去这部分的涂覆层;
(2)用光纤切割刀切割普通通信单模光纤和实芯光子晶体光纤,保护好切割端面;
(3)用光纤熔接机将已切割好端面的一端进行熔接,熔接时光子晶体光纤应稍远离电极;第一次放电后,熔接点处边缘首先熔接上,而中心由于光子晶体光纤包层空气孔的塌陷排出的空气被捕获形成空气腔;
(4)实时监测反射谱,多次追加放电,使反射条纹的精细度和对比度最大,这时腔长与反射面曲率半径接近相等;
(5)将光子晶体光纤未熔接的一端置于匹配液中或绕成环状,防止产生多重法布里-珀罗干涉干涉。
5.根据权利要求4所述的一种基于实芯光子晶体光纤的法布里-珀罗干涉传感器的制作方法,其特征在于:所述的普通通信单模光纤为SMF,实芯光子晶体光纤为SM-7.0。
6.根据权利要求5所述的一种基于实芯光子晶体光纤的法布里-珀罗干涉传感器的制作方法,其特征在于:所述的步骤(3)放电的熔接参数:预熔时间0.2s,预熔电流5mA,间隙50μm,熔接电流7mA,熔接时间650ms,z轴推进量15μm。
7.根据权利要求5所述的一种基于实芯光子晶体光纤的法布里-珀罗干涉传感器的制作方法,其特征在于:步骤(4)中追加放电的熔接参数电流7mA,追加放电时间650ms。
8.根据权利要求5所述的一种基于实芯光子晶体光纤的法布里-珀罗干涉传感器的制作方法,其特征在于:步骤(4)中多次追加放电的次数为4次。
CN102261924A说明书1/5页
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一种基于实芯光子晶体光纤的法布里一珀罗干涉传感器及其制作方法
技术领域
[0001]本发
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