CN102249181A 一种su8胶微力传感器的制作方法 （大连理工大学）.docxVIP

(19)中华人民共和国国家知识产权局

(12)发明专利申请

(10)申请公布号CN102249181A

(43)申请公布日2011.11.23

(21)申请号201110075587.9

(22)申请日2011.03.28

(71)申请人大连理工大学

地址116024辽宁省大连市甘井子区凌工路

2号

(72)发明人褚金奎陈兆鹏张然

(74)专利代理机构大连理工大学专利中心

21200

代理人梅洪玉

(51)Int.CI.

B81C1/00(2006.01)

权利要求书1页说明书3页附图2页

(54)发明名称

一种SU-8胶微力传感器的制作方法

13(57)摘要

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CN102249181A本发明公开了一种SU-8胶微力传感器的制作方法，属于微机电系统技术领域中的微传感器。其特征包括以下步骤：采用硅作为衬底，Omnicoat胶为粘结层和牺牲层，第一次曝光显影制作出SU-8胶结构体，然后进行溅射，第二次曝光显影制作出正胶掩模，来腐蚀金属层，最后再进行释放。制作出来的传感器通过两个电极与外围电路连接成为惠斯顿电桥，将电阻变化量转换为电压变化量，以此来测量作用力的大小。本发明选择的光刻胶为SU-8胶，此材料的弹性模量小，使得其性能和半导体硅材料的微力传感器相当，而

CN102249181A

CN102249181A权利要求书1/1页

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1.一种SU-8胶微力传感器的制作方法，其特征包括以下步骤：

(1)第一次涂胶：在硅片上生长一层氧化层，然后旋涂一层Omnicoat胶，所述的硅片为单晶硅片或多晶硅片，可以用玻璃代替硅片与氧化层作为衬底；

(2)第二次涂胶：在Omnicoat胶上旋涂一层SU-8胶；

(3)第一次曝光、显影：采用紫外线曝光，实现图形从掩模板A到SU-8胶上的转移，然后用SU-8胶专用显影液对曝光后的SU-8胶进行显影，得到SU-8胶结构体；

(4)溅射：在SU-8胶结构体上溅射一层金属；

(5)第三次涂胶：在铜层上旋涂一层正胶；

(6)第二次曝光、显影：采用紫外线曝光，实现图形从掩模板B到正胶上的转移，然后用正胶显影液对曝光后的正胶进行显影，得到正胶结构体；

(7)腐蚀、释放：以正胶结构体为掩模，用硝酸溶液对金属铜层进行腐蚀，得到电极和压阻结构层；采用丙酮溶液腐蚀掉Omnicoat胶和正胶结构体。

2.根据权利要求1所述的一种SU-8胶微力传感器的制作方法，其特征在于，所述步骤(1)中在不使用Omnicoat胶时，直接使用氧化层作为牺牲层。

3.根据权利要求1所述的一种SU-8胶微力传感器的制作方法，其特征在于，所述步骤(4)中的金属是铜、金、钛或镍。

CN102249181A说明书1/3页

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一种SU-8胶微力传感器的制作方法

技术领域

[0001]本发明属于微机电系统技术领域中的微传感器，涉及到一种SU-8胶微力传感器的制作方法。

背景技术

[0002]MEMS传感器的主要加工技术沿用半导体制造工艺，它的基底材料除了常用的硅材料外，还有石英、GaAs聚合物和金属材料等。更重要的是，由于MEMS传感器的核心——敏感元件或有活动部件或需要与工作介质接触，这导致一些设计和封装与传统的微电子相比，更为复杂。MEMS传感器封装工艺和测试标定的费用约占产品总成本的80%以上，由于其封装形式的多样性和特殊性，也导致了MEMS传感器的标准化制定工作更加困难。微力传感器作为MEMS中一种重要的传感器在当今社会中得到广泛的应用，按其工作原理划分，微力传感器主要有电容式、压电式、压阻式等，与目前的商用力传感器相比，基于MEMS技术的微力传感器具有以下两个特点：一是微力传感器本身的尺寸为微米或毫米量级，能够满足在微尺度环境下工作的要求；二是微力传感器主要用于μN～mN量级的微力测量。

[0003]目前基于MEMS工艺加工的压阻式微力传感器主要是利用硅掺杂工艺来完成，荷兰代尔夫特理工大学的T.ChuDuc等人利用半导体硅掺杂工艺制作出了一款可以测量两个方向力的微力传感器(TChuDuc,JFC