CN102664051A 一种增强x线防护的光子晶体防护玻璃及其制作方法 （河南科技大学）.docxVIP

(19)中华人民共和国国家知识产权局

(12)发明专利申请

(10)申请公布号CN102664051A

(43)申请公布日2012.09.12

(21)申请号201210157904.6

(22)申请日2012.05.21

(71)申请人河南科技大学

地址471000河南省洛阳市涧西区西苑路

48号

(72)发明人李萍雷万军胡志刚乔晓岚宋霄薇李光大赵鹏杨超

(74)专利代理机构洛阳公信知识产权事务所

(普通合伙)41120代理人罗民健

(51)Int.CI.

G21FCO3C

1/12(2006.01)17/36(2006.01)

权利要求书1页说明书4页附图2页

(54)发明名称

一种增强X线防护的光子晶体防护玻璃及其制作方法

(57)摘要

CN102664051A复合光子品体结构中的镀锗展复合光子品体结构中的镀瓶化频层2普通X线防护玻璃一种增强X线防护的光子晶体防护玻璃，由重金属X线防护玻璃层和光子晶体层组成，光子晶体层由14层Ge介质层和14层BaF?介质层相互交替叠加构成(GeBaF?)(GeBaF?)型复合结构，其中m=6,n=8,(GeBaF?)表示m层Ge和m层BaF?交替叠加构成的复合介质层，调整参数使

CN102664051A

复合光子品体结构中的镀锗展

复合光子品体结构中的镀瓶化频层

2普通X线防护玻璃

CN102664051A权利要求书1/1页

2

1.一种增强X线防护的光子晶体防护玻璃，其特征在于：由重金属X线防护玻璃层(1)和光子晶体层(2)组成，光子晶体层(2)由14层Ge介质层和14层BaF?介质层相互交替叠加构成(GeBaF?)(GeBaF?)n型复合结构，其中m=6,n=8,(GeBaF?)表示m层Ge和m层BaF?交替叠加构成的复合介质层，其中Ge介质层的厚度为248.45nm,BaF?介质层的厚度为741.38nm,该复合介质层设置在光子晶体层(2)的内侧，并与重金属X线防护玻璃层(1)连接；(GeBaF?)。表示n层Ge和n层BaF?交替叠加构成的复合介质层，其中Ge介质层的厚度为388.16nm,BaF?介质层的厚度为1068.48nm,该复合介质层设置在光子晶体层(2)的外侧。

2.如权利要求1所述的一种增强X线防护的光子晶体防护玻璃的制作方法，其特征在于：

步骤一、取一个f36mm的平板形重金属X线防护玻璃，作为基板，将基板双面抛光，立边抛光，四边有工艺倒角，备用；

步骤二、将加工好的基板表面进行清洁化处理，采用酸性清洗液和去离子水分别清洗基板，然后将基板置于热板上烘干，温度为65°,时间10分钟；

步骤三、将基板放入真空镀膜机，在其一个表面上进行介质材料锗的镀膜，镀膜厚度为248.45nm,镀膜后干燥冷却30分钟，然后在基板镀有锗镀膜层的表面进行介质材料氟化钡的镀膜，镀膜厚度为741.38nm,镀膜后干燥冷却30分钟；

步骤四、按照步骤三的方法交替进行锗和氟化钡镀膜，直至镀好m层锗镀膜层和m层氟化钡镀膜层，其中m=6,在基板上形成结构为(GeBaF?)m的光子晶体复合镀膜层；

步骤五、将步骤四镀有(GeBaF?)光子晶体复合镀膜层的基板表面上继续进行介质材料锗的镀膜，厚度为388.16nm,镀膜后干燥冷却30分钟；然后在新镀好的锗镀膜层上再进行介质材料氟化钡的镀膜，镀膜厚度为1068.48nm,镀膜后干燥冷却30分钟；

步骤六、按照重复步骤五的方法交替进行锗和氟化钡镀膜，包括步骤五所镀的锗和氟化钡镀膜层，共分别进行n次锗和氟化钡的镀膜，n=8,镀膜完成后干燥冷却30分钟，即制成表面设有(GeBaF?)(GeBaF?)n型光子晶体结构的光子晶体防护玻璃。

CN102664051A说明书1/4页

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一种增强X线防护的光子晶体防护玻璃及其制作方法

技术领域

[0001]本发明涉及一维光子晶体技术领域，具体涉及一种增强X线防护的光子晶体防护玻璃及其制作方法。

背景技术

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