CN102651360B 一种可铜线键接的封装体结构及其制作方法 （万国半导体股份有限公司）.docxVIP

(19)中华人民共和国国家知识产权局

(12)发明专利

(45)授权

(10)授权公告号CN102651360B公告日2015.03.11

(21)申请号201110050405.2

(22)申请日2011.02.24

(73)专利权人万国半导体股份有限公司

地址美国加利福尼亚桑尼维尔奥克米德公园道475号

(72)发明人薛彦迅鲁军安荷·叭刺

(74)专利代理机构上海信好专利代理事务所(普通合伙)31249

代理人张静洁徐雯琼

CN101601133A,2009.12.09,

US2007/0228534A1,2007.10.04,US2006/0088956A1,2006.04.27,CN1735963A,2006.02.15,

审查员张玉萍

(51)Int.CI.

HO1LHO1L

HO1LHO1L

23/495(2006.01)23/31(2006.01)

21/60(2006.01)

21/56(2006.01)

(56)对比文件

CN101601133A,2009.12.09,权利要求书2页说明书5页附图3页

(54)发明名称

一种可铜线键接的封装体结构及其制作方法

(57)摘要

CN102651360B一种可铜线键接的封装体结构及其制作方法，包含引线框架，其设置有若干载片台，和延伸至所述封装体结构外的若干引脚，以及若干加强筋，其连接相邻的所述载片台；每对相邻载片台之间连接有至少一个所述加强筋；若干半导体芯片，对应设置在所述若干载片台上；在所述芯片之间，或所述芯片与所述引脚之间，或所述芯片与所述载片台之间，通过铜线键接形成电气连接。在优选例中，由于通过半腐蚀引线框架，形成了与第一、第二载片台一体的，用于连接第一、第二载片台的至少一个加强筋；在封装完成前，都能有效增强引线框架的整体强度。因而，该引线框架的强

CN102651360B

B-B

A

CN102651360B权利要求书1/2页

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1.一种可铜线键接的封装体结构，其特征在于，包含：

引线框架(10),其设置有相邻的第一载片台、第二载片台，和延伸至所述引线框架外相对两侧的若干引脚，以及

相互间隔设置的多个加强筋(20),其连接相邻的载片台；

第一MOSFET半导体芯片设置在所述第一载片台上，第二MOSFET半导体芯片设置在所述第二载片台上；

所述第一MOSFET半导体芯片的顶部电极与所述载片台之间，通过铜线(50)键接形成电气连接；

将第一和第二载片台及其承载的第一和第二MOSFET半导体芯片封装在单一的一个塑封体(60)内部，该塑封体(60)中包含覆盖至所述加强筋(20)的顶面上方的塑封体部分，该塑封体部分在所述加强筋(20)被去除时得以保留，并形成切割DFN封装体后相邻载片台之间下半部分的间隔空隙；所述载片台的未连接芯片的底面，以及若干所述引脚暴露在所述塑封体(60)的底面外。

2.如权利要求1所述可铜线键接的封装体结构，其特征在于，所述加强筋(20)在所述塑封体(60)封装后去除，使相邻的所述载片台相互电气隔绝。

3.如权利要求1或2所述可铜线键接的封装体结构，其特征在于，所述加强筋(20),其高度低于其连接的所述相邻载片台的高度；所述加强筋(20)底面与所述载片台底面在同一平面上。

4.如权利要求1所述可铜线键接的封装体结构，其特征在于，所述引线框架(10)上的其中一些所述引脚，由若干所述载片台引出；所述芯片的底面与所述载片台的顶面固定连接，使所述芯片设置的若干底部电极，与所述载片台电性连接，并通过该些引脚与外部元器件连接。

5.如权利要求4所述可铜线键接的封装体结构，其特征在于，所述引线框架(10)上的另一些所述引脚，与若干所述载片台分隔且无电性连接；所述芯片设置的若干顶部电极，与该些引脚通过铜线(50)键接形成电性连接，并通过该些引脚与外部元器件连接。

6.一种可铜线键接的封装体结构的制作方法，其特征在于，包含以下步骤：

步骤1、形成引线框架(10)上连接相邻载片台的多个加强筋(20),相邻的加强筋(20)之间相互间隔设置；

步骤2、多个半导体芯片分别连接在各自对应的载片台上；芯片之间，或芯片与引脚之间，或芯片与载片台之间通过铜线(50)键接形成电性连接；

步骤3、封装