CN102723440A 基于补偿发光的ZnCuInSZnS量子点白光LED及其制作方法 （吉林大学）.docxVIP

(19)中华人民共和国国家知识产权局

(12)发明专利申请

(10)申请公布号CN102723440A

(43)申请公布日2012.10.10

(21)申请号201210213400.1

(22)申请日2012.06.26

(71)申请人吉林大学

地址130012吉林省长春市前进大街2699

号

(72)发明人张宇翟微微张佳全于伟泳王一丁张铁强林晓珑冯毅

(74)专利代理机构长春吉大专利代理有限责任公司22201

代理人朱世林王寿珍

(51)Int.CI.

HO1L51/50(2006.01)

HO1L51/54(2006.01)

权利要求书1页说明书4页

权利要求书1页说明书4页附图3页

(54)发明名称

基于补偿发光的ZnCuInS/ZnS量子点白光LED及其制作方法

(57)摘要

CN102723440A本发明公开了一种基于补偿发光的ZnCuInS/ZnS量子点白光LED及其制作方法，该LED采用双层发光的结构，包括有玻璃衬底，沉积在玻璃衬底上透明的ITO电极，旋涂在ITO电极上的PEDOT:PSS层，旋涂在PEDOT:PSS层上产生蓝绿光的Poly-TPD层，旋涂在Poly-TPD层上产生红光的ZnCuInS/ZnS量子点层及Al电极，PEDOT:PSS层为缓冲层；ITO电极是透明的，作为LED的正极；所述的Poly-TPD层产生蓝绿光；ZnCuInS/ZnS量子点层产生红光，和Poly-TPD层产生的蓝绿光互补，形成白光，本发明采用无毒金属ZnCuInS/ZnS

CN102723440A

CN102723440A权利要求书1/1页

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1.一种基于补偿发光的ZnCuInS/ZnS量子点白光LED,包括有玻璃衬底(1)、ITO电极(2)、PEDOT:PSS层(3)、Poly-TPD层(4)、ZnCuInS/ZnS量子点层(5)以及Al电极(6),其特征在于：

所述的ITO电极(2)是透明的，作为LED的正极，沉积在玻璃衬底(1)上；

所述的PEDOT:PSS层(3)为缓冲层，旋涂在ITO电极(2)上；

所述的Poly-TPD层(4)产生蓝绿光，作为LED的空穴迁移层，旋涂在PEDOT:PSS层(3);

所述的ZnCuInS/ZnS量子点层(5)产生红光，旋涂在Poly-TPD层(4)上；所产生红光和Poly-TPD层(4)产生的蓝绿光互补，形成白光；

所述的A1电极(6)作为LED的负极，热蒸镀在ZnCuInS/ZnS量子点层(5)上。

2.根据权利要求1所述的一种基于补偿发光的ZnCuInS/ZnS量子点白光LED,其特征在于：

所述的Poly-TPD层(4)和ZnCuInS/ZnS量子点层(5)是分离的；载流子从ITO电极(2)和Al电极(6)注入，在Poly-TPD层(4)和ZnCuInS/ZnS量子点层(5)交界面处复合，使得两层发光颜色互补，产生白光。

3.根据权利要求2所述的一种基于补偿发光的ZnCuInS/ZnS量子点白光LED,其特征在于：

所述的ZnCuInS/ZnS量子点层(5)产生峰值波长在620nm附近的红光；所述的Poly-TPD层(4)在高温处理和退火冷却到室温后，产生峰值波长在480nm附近的蓝绿光；在ZnCuInS/ZnS量子点层(5)上包覆一层Poly-TPD层(4)后，二者发光颜色互补，产生白光。

4.一种基于补偿发光的ZnCuInS/ZnS量子点白光LED的制作方法，其特征在于：包括以下步骤：

首先，在玻璃衬底(1)上沉积ITO电极(2);

其次，在ITO电极(2)上旋涂PEDOT:PSS层(3);

第三，在PEDOT:PSS层(3)上沉积Poly-TPD层(4);

第四，在Poly-TPD层(4)上旋涂ZnCuInS/ZnS量子点层(5);

最后，在ZnCuInS/ZnS量子点层(5)上热蒸镀制作A1电极(6)。

5.根据权利要求4所述的一种基于补偿发光的ZnCuInS/ZnS量子点白光LED的制作方法，其特征在于：各步骤具体内容如下：

首先，将带有ITO电极(2)的玻璃衬底(1)用超声净洗，分别置于清洗液、去离子水、丙酮和异丙醇中清洗2次，每次15分钟；在150℃下烘