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电场诱导下磁性薄膜磁化翻转的机理、影响因素及应用探索

一、引言

1.1研究背景与意义

在信息技术飞速发展的当下，数据存储技术的革新一直是学术界和产业界共同关注的焦点。磁性薄膜作为现代存储领域的核心材料之一，凭借其独特的磁性能，在硬盘、磁带等存储介质中发挥着不可替代的关键作用。随着对存储密度和读写速度要求的不断攀升，如何实现磁性薄膜更高效、更快速的磁化翻转，成为了推动存储技术进步的关键所在。传统的磁性随机存储器（MRAM）主要依靠磁场驱动来实现磁化翻转，但这一方式存在着相邻存储单元之间容易相互干扰的问题，极大地限制了存储密度的进一步提升。基于自旋转移矩（STT）的STT-MRAM虽然成