CN105785508B 基于bcb键合工艺的耦合器结构及其制作方法 （南通新微研究院）.docxVIP

(19)国家知识产权局

(12)发明专利

(10)授权公告号CN105785508B(45)授权公告日2022.06.14

(21)申请号201410821688.X

(22)申请日2014.12.25

(65)同一申请的已公布的文献号申请公布号CN105785508A

(43)申请公布日2016.07.20

(73)专利权人南通新微研究院

地址226017江苏省南通市苏通科技产业

园江成路1088号江成研发园研发北楼专利权人中国科学院上海微系统与信息技

术研究所

(51)Int.CI.

GO2B6/136(2006.01)

GO2B6/42(2006.01)

GO2B6/122(2006.01)

(56)对比文件

CN204302527U,2015.04.29CN102904159A,2013.01.30CA2266004A1,1998.03.26CN103197386A,2013.07.10

审查员林佩华

(72)发明人盛振甘甫烷王智琪

武爱民仇超

(74)专利代理机构上海光华专利事务所(普通

合伙)31219专利代理师李仪萍

权利要求书2页说明书6页附图3页

(54)发明名称

基于BCB键合工艺的耦合器结构及其制作方法

(57)摘要

CN105785508B本发明提供一种基于BCB键合工艺的耦合器结构及其制作方法，该结构包括：硅衬底及形成于其上的埋氧层；形成于所述埋氧层上的硅波导及与所述硅波导一端连接的第一锥形耦合结构；形成于所述埋氧层表面并覆盖所述硅波导及所述第一锥形耦合结构的BCB覆层；及形成于所述BCB覆层表面的III-V族光增益结构及与所述III-V族光增益结构一端连接的第二锥形耦合结构；所述第一、第二锥形耦合结构反向设置，且在水平面上的投影部分重合。本发明实现了III-V族光增益结构和硅波导的混合集成，第一锥形耦合结构及第二锥形耦合结构反向设置形成模式转换区，极大缩短了耦合结构的长度，且耦合效率高；BCB

CN105785508B

CN105785508B权利要求书1/2页

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1.一种基于BCB键合工艺的耦合器结构的制作方法，其特征在于，至少包括以下步骤：

S1:提供一SOI衬底，所述SOI衬底自下而上依次包括硅衬底、埋氧层及顶层硅；

S2:刻蚀所述顶层硅，形成硅波导及与所述硅波导一端连接的第一锥形耦合结构；所述第一锥形耦合结构纵向宽度线性减小；

S3:在所述埋氧层表面形成一覆盖所述硅波导及所述第一锥形耦合结构的BCB覆层，并在所述BCB覆层上键合一III-V族层结构；

S4:刻蚀所述III-V族层结构，形成III-V族光增益结构及与所述III-V族光增益结构一端连接的第二锥形耦合结构；所述第二锥形耦合结构纵向宽度线性减小；所述硅波导与所述III-V族光增益结构在水平面上的投影的横向中心轴线重合，该投影之间分立存在且相向的两端具有预设距离；所述第一锥形耦合结构与所述第二锥形耦合结构分别连接于所述硅波导与所述III-V族光增益结构的相向两端且反向设置；所述第一锥形耦合结构与所述第二锥形耦合结构在水平面上的投影部分重合。

2.根据权利要求1所述的基于BCB键合工艺的耦合器结构的制作方法，其特征在于：所述硅波导为条形或脊型；所述III-V族光增益结构为条形或脊型。

3.根据权利要求1所述的基于BCB键合工艺的耦合器结构的制作方法，其特征在于：于所述步骤S2中，采用干法刻蚀所述顶层硅。

4.根据权利要求1所述的基于BCB键合工艺的耦合器结构的制作方法，其特征在于：于所述步骤S4中，采用干法刻蚀所述III-V族层结构。

5.根据权利要求1所述的基于BCB键合工艺的耦合器结构的制作方法，其特征在于：所述III-V族层结构自下而上依次包括第一限制层、多量子阱及第二限制层。

6.根据权利要求1所述的基于BCB键合工艺的耦合器结构的制作方法，其特征在于：所述第一锥形耦合结构的横向长度小于或等于所述预设距离；所述第二锥形耦合结构的横向长度小于或等于所述预设距离。

7.根据权利要求1所述的基于BCB键合工艺的耦合器结构的制作方法，其特征在于：所述硅波导的纵向宽度小于或等于所述III-V族光增益结构的纵向