CN105762176A 碳化硅mosfet器件及其制作方法 （电子科技大学）.docxVIP

(19)中华人民共和国国家知识产权局

(12)发明专利申请

(10)申请公布号CN105762176A

(43)申请公布日2016.07.13

(21)申请号201610273671.4

(22)申请日2016.04.28

(71)申请人电子科技大学

地址611731四川省成都市高新区(西区)

西源大道2006号

(72)发明人邓小川陈茜茜李立均李轩张波

(74)专利代理机构成都点睛专利代理事务所(普通合伙)51232

代理人敖欢葛启函

(51)Int.CI.

HO1LHO1L

HO1LHO1L

29/06(2006.01)

29/24(2006.01)

21/336(2006.01)

29/78(2006.01)

权利要求书2页说明书4页

附图5页

(54)发明名称

碳化硅MOSFET器件及其制作方法

(57)摘要

CN105762176A本发明提供一种碳化硅MOSFET器件及其制作方法，器件包括漏极金属、N+衬底、N-漂移区；N-漂移区的内部设有凹槽，制作方法包括步骤：在外延片上刻蚀出凹槽，该凹槽和光刻对准标记同时形成；N-外延上淀积多晶硅并刻蚀形成离子注入阻挡层图形；以多晶硅为掩膜铝离子注入形成P型基区；淀积二氧化硅并反刻形成侧墙，利用自对准工艺氮离子注入形成N+源区；去掉多晶硅和二氧化硅，再淀积一层多晶硅并形成离子注入阻挡层图形；铝离子注入形成P+接触区域；除去多晶硅，进行离子注入激活退火和栅氧氧化；本发明既实现了沟道自对准工艺，又将P+接触区做深，有效抑制了寄生

CN105762176A

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CN105762176A权利要求书1/2页

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1.一种碳化硅MOSFET器件，其特征在于：包括漏极金属(7)、漏极金属(7)上方的N+衬底(6)、N+衬底(6)上方的N-漂移区(5);所述N-漂移区(5)的内部上方中间设有凹槽(11),凹槽(11)左侧为第一P型基区(8),右侧为第二P型基区(81);所述第一P型基区(8)内部上方设有第一N+源区(9);所述第二P型基区(81)内部上方具有第二N+源区(91),所述第一N+源区(9)和凹槽(11)之间是第一P+欧姆接触区(10);所述第二N+源区(91)和凹槽(11)之间是第二P+欧姆接触区(101);所述凹槽(11)下方是第三P+欧姆接触区(102);所述第一栅介质(4)从N-漂移区(5)的左端上表面向右延伸至第一N+源区(9)的左上表面；所述第二栅介质(41)从第二N+源区(91)的右上表面向右延伸至N-漂移区(5)的右端上表面；所述第一多晶硅栅(3)位于第一栅介质(4)上表面；所述第一层间绝缘介质(2)覆盖第一多晶硅栅(3)的上方、以及第一多晶硅栅(3)和第一栅介质(4)的右侧；所述第二多晶硅栅(31)位于第二栅介质(41)上表面；所述第二层间绝缘介质(21)覆盖第二多晶硅栅(31)和第二栅介质(41)的左侧、以及第二多晶硅栅(31)的上方，第一层间绝缘介质(2)的上表面和右侧、第一N+源区(9)的右上表面、第一P+欧姆接触区(10)的上表面、凹槽(11)的内部、第二P+欧姆接触区(101)的上表面、第二N+源区(91)的左上表面以及第二层间绝缘介质(21)的左侧和上表面均设有源金属(1),第一P型基区(8)左端和第一N+源区(9)左端之间的间隙为器件第一沟道；第二P型基区(81)右端和第二N+源区(91)右端之间的间隙为器件第二沟道。

2.根据权利要求1所述的碳化硅MOSFET器件，其特征在于：所述第一栅介质(4)、第二栅介质(41)、第一层间绝缘介质(2)、第二层间绝缘介质(21)均为SiO?。

3.根据权利要求1所述的碳化硅MOSFET器件，其特征在于：所述器件第一P型基区(8)和第二P型基区(81)形成后，淀积二氧化硅反刻形成侧墙。

4.根据权利要求1所述的碳化硅MOSFET器件，其特征在于：所述器件第一沟道和器件第二沟道由自对准工艺形成。

5.根据权利要求4所述的碳化硅MOSFET器件，其特征在于：所述器件第一沟道和器件第二沟道的长度小于0.5μm。

6.根据权利要求1所述的碳化硅MOSFET器件，其特征在于：所述器件第一P型基区(8)、第二P型基区(81)、第一P+接触区(10)、第二P+接触区(101)、第三P+接触区(102)、和第一N+