CN102969364A 一种改善器件均匀性的顶栅结构金属氧化物薄膜晶体管及其制作方法 （东莞有机发光显示产业技术研究院）.docxVIP

(19)中华人民共和国国家知识产权局

(12)发明专利申请

(10)申请公布号CN102969364A

(43)申请公布日2013.03.13

(21)申请号201210368283.6

(22)申请日2012.09.28

(71)申请人东莞有机发光显示产业技术研究院地址523000广东省东莞市南城区宏图高新

科技开发区

申请人东莞彩显有机发光科技有限公司

(72)发明人向桂华王娟赵伟明

(74)专利代理机构东莞市冠诚知识产权代理有限公司44272

代理人张作林

(51)Int.CI.

HO1L29/786(2006.01)

HO1L29/40(2006.01)

HO1L21/336(2006.01)

HO1L21/28(2006.01)

权利要求书2页说明书5页附图4页

(54)发明名称

一种改善器件均匀性的顶栅结构金属氧化物薄膜晶体管及其制作方法

(57)摘要

CN102969364A本发明公开了一种改善器件均匀性的顶栅结构金属氧化物薄膜晶体管及其制作方法，涉及薄膜晶体管领域。该薄膜晶体管包括基板、有源层辅助电极、有源层、绝缘层、栅极、源极和漏极；其中，有源层辅助电极设于基板之上，有源层设于有源层辅助电极之上，源极设于有源层上侧之一端，漏极设于有源层上侧之另一端，绝缘层设于有源层上侧之中部，栅极设于绝缘层之上；有源层为复合膜层结构或单层膜层结构，当有源层为复合膜层结构时，从下而上依次为贫氧型金属氧化物膜层、富氧型金属氧化物膜层；当有源层为单层膜层结构时，为金属氧化物膜层。本发明针对有源层结构，通过增加有源层辅助电极的方法来减少

CN102969364A

CN102969364A权利要求书1/2页

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1.一种改善器件均匀性的顶栅结构金属氧化物薄膜晶体管，其特征在于：该薄膜晶体管包括基板、有源层辅助电极、有源层、绝缘层、栅极、源极和漏极；其中，有源层辅助电极设于基板之上，有源层设于有源层辅助电极之上，源极设于有源层上侧之一端，漏极设于有源层上侧之另一端，绝缘层设于有源层上侧之中部，栅极设于绝缘层之上；有源层辅助电极有两支，均设于基板与有源层之间并分别与源极和漏极相连接；有源层为复合膜层结构或单层膜层结构，当有源层为复合膜层结构时，从下而上依次为贫氧型金属氧化物膜层、富氧型金属氧化物膜层；当有源层为单层膜层结构时，为金属氧化物膜层。

2.根据权利要求1所述的顶栅结构金属氧化物薄膜晶体管，其特征在于：所述基板材料为硅片、玻璃或者陶瓷中的一种。

3.根据权利要求1所述的顶栅结构金属氧化物薄膜晶体管，其特征在于：所述有源层辅助电极可用带电极层的玻璃形成，如ITO玻璃，或用溅射法制作的金属电极。

4.根据权利要求1所述的顶栅结构金属氧化物薄膜晶体管，其特征在于：所述有源层为IGZ0材料，IGZ0是由铟、镓、锌和氧4个元素符号的英文首字母组成；所述有源层采用溅射方法制备，并且在溅射过程中使用同一个靶材，靶材的材料为(In?O?)(Ga?O?),(ZnO)?,其中0≤x、y、z≤1,且x+y+z=1;在溅射过程中选择无氧或低氧气氛得到贫氧型金属氧化物膜层，选择富氧气氛得到富氧型金属氧化物膜层。

5.根据权利要求1所述的顶栅结构金属氧化物薄膜晶体管，其特征在于：所述有源层在源极和漏极位置用开孔的形式图形化，使有源层辅助电极与源极和漏极直接相连接。

6.根据权利要求1所述的顶栅结构金属氧化物薄膜晶体管，其特征在于：所述绝缘层为绝缘金属氧化物、硅基绝缘材料、高分子材料中的一种。

7.根据权利要求6所述的顶栅结构金属氧化物薄膜晶体管，其特征在于：所述硅基绝缘材料为二氧化硅、氮化硅绝缘材料中的一种或两种复合材料。

8.一种权利要求1所述顶栅结构金属氧化物薄膜晶体管的制作方法，其特征在于：包括以下步骤(以ITO基板为例):

a、在含ITO的基板上，采用掩模板图形化ITO电极，形成有源层的辅助电极图案；

b、在形成辅助电极后的基板上，采用溅射法制作有源层，选择无氧或低氧气氛得到贫氧型金属氧化物膜层，选择富氧气氛得到富氧型金属氧化物膜层；有源层制作完并图形化后，高温退火，退火温度150℃~500℃,退火在大气或含氧气氛下进行；

c、在有源层上侧，采用溅射、化学气相沉积、旋涂或印刷的方法制作绝缘层；并采用光刻或掩模方法得到绝缘层形状；绝缘层制作完后，高温退火