CN105759468B 基于斯塔克效应的soup结构光电调制器及制作方法 （西安电子科技大学）.docxVIP

(19)中华人民共和国国家知识产权局

(12)发明专利

(45)授权

(10)授权公告号CN105759468B公告日2018.11.20

(21)申请号201610124746.2

(22)申请日2016.03.04

(65)同一申请的已公布的文献号申请公布号CN105759468A

(43)申请公布日2016.07.13

(73)专利权人西安电子科技大学

地址710071陕西省西安市太白南路2号

(72)发明人张春福韩根全彭芮之郝跃张进城冯倩

(74)专利代理机构陕西电子工业专利中心

61205

代理人田文英王品华

(51)Int.CI.

GO2F1/03(2006.01)

B82Y40/00(2011.01)

B82Y30/00(2011.01)

(56)对比文件

CN105006500A,2015.10.28,

US5548128A,1996.08.20,

CN102169243A,2011.08.31,

PaoTaiLin等.Si-CMOScompatible

materialsanddevicesformid-IR

microphotonics.《OPTICALMATERIALS

EXPRESS》.2013,第3卷(第9期),第1474-1487页.

PairotMoontragoon等.Electronic

propertiescalculationofGe1-x-ySixSnyternaryalloyandnanostructure.《JournalofNon-CrystallineSolids》.2012,第358卷第2096-2098页.

审查员全宇军

权利要求书2页说明书5页附图2页

(54)发明名称

基于斯塔克效应的SOUP结构光电调制器及制作方法

(57)摘要

CN105759468B一种基于斯塔克效应的SOUP结构光电调制器及制作方法，主要解决现有光电调制器中红外光易泄露，晶格失配和制作方法复杂的问题。光电调制器包括：衬底(1)、氧化下包络基座上的硅SOUP结构波导(2)、吸收区(3)、左电极(4)和右电极(5)。制作方法包括：注氧隔离、刻蚀硅波导、刻蚀SOUP结构、刻蚀量子阱、低压化学气相沉积和淀积电极。本发明通过氧化下包络基座上的硅SOUP结构以及晶格适配的量子阱和势垒层使光的损耗减小，吸收谱波长范围变大，同时，本发明

CN105759468B

CN105759468B权利要求书1/2页

2

1.一种基于斯塔克效应的SOUP结构光电调制器，包括：衬底(1)、氧化下包络基座上的硅SOUP结构波导(2)、吸收区(3)、左电极(4)和右电极(5);其特征在于：所述吸收区(3)由GeSn量子阱和SiGeSn势垒层横向交叠排列组成；所述量子阱采用Sn组分为0.9的GeSn单晶材料；所述势垒层采用Sn组分为0.15、Ge组分为0.75的单晶材料。

2.根据权利要求1所述的基于斯塔克效应的SOUP结构光电调制器，其特征在于，所述的势垒层的单晶材料晶格常数a1与量子阱的应变单晶材料的晶格常数a2相等。

3.根据权利要求1所述的基于斯塔克效应的SOUP结构光电调制器，其特征在于，所述的衬底(1)采用Si单晶材料。

4.根据权利要求1所述的基于斯塔克效应的SOUP结构光电调制器，其特征在于，所述的左电极(4)在硅波导上形成A1/Ti欧姆接触；所述的右电极(5)在吸收区上形成A1/Ti欧姆接触。

5.一种基于斯塔克效应的SOUP结构光电调制器制作方法，包括如下步骤：

(1)注氧隔离：

利用注氧隔离方法，将氧离子注入硅中，在硅中形成埋氧化层SiO?,得到位于埋氧化层SiO?上面的硅波导和位于埋氧化层SiO?下面的硅衬底；

(2)刻蚀硅波导：

(2a)利用刻蚀工艺，将硅波导的左端和右端刻蚀去除硅波导长度的百分之一后，将硅波导右侧减薄至硅波导刻蚀之前厚度的7%-8%;

(2b)用丙酮和等离子体清洗15分钟，除去光刻胶，得到刻蚀后的硅波导；

(3)刻蚀SOUP结构：

利用刻蚀工艺，对埋氧化层SiO?进行切边，得到氧化下包络基座上的硅SOUP结构，氧化下包络基座上的硅SOUP结构的下包络基座的下底宽度的取值大于等于上底宽度的取值；

(4)低