CN102928473B 一种低压柔性otft氨气传感器及其制作方法 （电子科技大学）.docxVIP

(19)中华人民共和国国家知识产权局

(12)发明专利

(10)授权公告号CN102928473B(45)授权公告日2015.11.11

(21)申请号201210481524.8

(22)申请日2012.11.23

(73)专利权人电子科技大学

地址610000四川省成都市高新区(西区)西

源大道2006号

(72)发明人太惠玲蒋亚东张波谢光忠

(74)专利代理机构成都华风专利事务所(普通合伙)51223

代理人徐丰杨保刚

(51)Int.CI.

GO1N27/00(2006.01)

(56)对比文件

CN101399316A,2009.04.01,说明书第7页第12行至28行及附图1.

CN101777583A,2010.07.14,说明书第5段至第7段.

CN102507659A,2012.06.20,说明书第12段至15段.

CN102621210A,2012.08.01,全文.

FR2944285A1,2010.10.15,全文.

KR20090129270A,2009.12.16,全文.

JinhuaLi等.Theapplicationofa

high-kpolymerinflexiblelow-voltage

organicthin-film.《JournalofMaterialsChemistry》.2012,第22卷15998-16004.

车延超等.电活性聚合物P(VDF-TrFE-CTFE)的制备与介电性研究.《有机氟工

业》.2010,(第3期),第10-12页.

卢亮.聚3-己基噻吩复合薄膜气体传感器的制备及特性研究.《中国优秀硕士学位论文全文数据库信息科技辑》.2011,(第04期),I140一128.

审查员周璇玮

权利要求书1页说明书4页附图1页

(54)发明名称

一种低压柔性OTFT氨气传感器及其制作方法

(57)摘要

本发明公开了一种低压柔性OTFT氨气传感器及其制作方法，为底栅底接触器件构型，设有源

CN102928473BS、漏D、栅G三极，绝缘层和有源层。栅极采用氧化铟锡(ITO)薄膜材料，镀在柔性塑料衬底上；偏氟乙烯(VDF)、三氟乙烯(TrFE)、三氟氯乙烯(CTFE)的三元共聚物P(VDF-TrFE-CTFE)作绝缘层；以有一定柔性的金薄膜做源漏电极层；源极和漏极之间制备对氨气响应较好的有机敏感薄膜P3HT或P3HT/纳米氧化物复合膜等。本发明利用有较高介电常数的偏氟乙烯的三元共聚物取代SiO?,制作与有机敏感薄膜有较好匹配的有机绝缘层，降低了传感器的工作电压，提高了工作电流；同时

CN102928473B

CN102928473B权利要求书1/1页

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1.低压柔性OTFT氨气传感器的制作方法，低压柔性OTFT氨气传感器，为底栅底接触器件构型，设有源极、漏极、栅极，栅极采用ITO柔性衬底；其中以金薄膜作源极和漏极电极层；源极和漏极之间制备对氨气响应较好的P3HT有机敏感薄膜或P3HT/纳米氧化物复合膜；源漏极与栅极间的绝缘层采用介电系数较高且与有机敏感膜接触较好的P(VDF-TrFE-CTFE)三元共聚物，其特征在于，制作方法包括以下步骤：

1)、采用ITO柔性塑料作为衬底，并进行标准清洗；

2)、利用三种单体化学合成P(VDF-TrFE-CTFE)三元共聚物；

3)、用旋涂的方法将步骤2)中合成的材料来制备有机绝缘层，所述有机绝缘层材料是P(VDF-TrFE-CTFE)三元共聚物，厚度为50～200nm,相对介电常数为50,将栅压降到-3V~-5V;

4)、制备源漏电极掩膜版；

5)、结合掩膜版，真空蒸镀源漏电极；

6)、采用柔性塑料封装，用60μm硅铝丝分别在源漏栅三端极引出测试线路，采用压焊的方法实现连接；

7)、利用旋涂法制备P3HT有机半导体薄膜或P3HT/纳米氧化物复合薄膜，P3HT有机半导体薄膜或P3HT/纳米氧化物复合薄膜厚度为50～150nm;

上述步骤2)中的三元共聚物的制备方法为：在反应釜中加入定量蒸馏水、适量引发剂和乳化剂，用液氮冷却至-150℃,再通入气态的VDF、TrFE、CTFE单体，每种单体用质量流量计控制