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电气设备局部放电多光谱同步检测试验系统设计案例

目录

TOC\o1-3\h\u29809电气设备局部放电多光谱同步检测试验系统设计案例 1

249351.1局部放电多光谱检测试验平台 1

218551.2基于LabVIEW的多通道同步测量上位机软件 4

225531.2.1整体功能设计 4

180391.2.2程序设计 7

局部放电多光谱检测试验平台

为了模拟电力设备中局部放电并获取局部放电的多光谱信号，本文搭建了一套能够对多个波段下局部放电光脉冲信号进行同步检测的多光谱同步检测试验平台，如图2-1所示。试验平台由试验变压器、试验腔体、放电缺陷模型和信号检测模块组成，实现对试验腔体内部放电多光谱信号的同步检测。

图STYLEREF1\s2SEQ图\*ARABIC\s11局部放电多光谱检测试验平台

1）信号检测模块

信号检测模块包括由滤光片和SiPM阵列共同构成的多光谱局部放电传感器和用于给SiPM供电的直流源。SiPM是基于雪崩二极管的集成面阵，在SiPM的检测光子的有效区域内，每平方毫米集成有数量为1300左右的单光子雪崩二极管，工作时通过共阴极驱动各单元，使其工作在盖革模式。SiPM的检测灵敏度与PMT相当，并且还兼具固态传感器的诸多优点，如尺寸小、外施偏压低、抗电磁干扰能力强且成本低。本文中采用的SiPM阵列型号为MicroFJ?30035?TSV，由4*4个单片SiPM构成，用于同步测量多个不同波段下的局部放电光信号。SiPM的技术参数如表2-1所示，外施偏压27V时的光子检测效率如图2-2所示。

多光谱局部放电传感器固定于连接法兰内，正对试验腔体内部放电缺陷，传感器电源线及信号线通过密封性航空插头引出，分别与设备外部的直流电源和信号采集模块相连。法兰与腔体紧密连接，保证腔体完好的避光性，避免外部光线对实验的干扰。多光谱局部放电传感器由SiPM阵列和滤光片共同组成，滤光片通过定制多光谱支架固定安装在SiPM阵列上并保持滤光片与阵列表面贴合，保证光信号只有透过滤光片才能被SiPM探测到，如图2-3所示。

图STYLEREF1\s2SEQ图\*ARABIC\s12SiPM光子检测效率

表STYLEREF1\s2SEQ表\*ARABIC\s11SiPM技术参数

PDE(%)

暗计数率(kHz/mm2)

增益

残留脉冲%

最大电流

湿度敏感水平

50

150

6.3×106

5.0

10mA

MSL4

(a)多光谱支架示意图

(b)SiPM阵列实物图

(c)多光谱传感器实物图

图STYLEREF1\s2SEQ图\*ARABIC\s13多光谱局部放电传感器构成

由图可知，SiPM阵列对波长处于300~700nm内的光子均有良好的响应，结合局部放电的光谱特征，本试验选取了中心波段为350nm、400nm、450nm、500nm、550nm、600nm、650nm的七个滤光片进行多光谱试验，滤光片的参数如图2-4所示，同时也对全波段下的光辐射信号进行了检测。多光谱局部放电传感器各通道的技术参数如表2-2所示。

图STYLEREF1\s2SEQ图\*ARABIC\s14滤光片参数

表STYLEREF1\s2SEQ表\*ARABIC\s12多光谱局部放电传感器各通道参数

传感器通道

中心波长/nm

中心透过率/(%)

光子检测效率/(%)

波段范围/(nm)

1

350

92

46

325~374

2

400

91

45.5

368~426

3

450

94.5

47.25

418~488

4

500

92.7

46.35

475~526

5

550

96.1

48.05

525~575

6

600

94.9

47.45

572~623

7

650

93.1

46.55

624~680

8

-

100

50

全波段

2）放电缺陷模型

针对不同的电气设备可能存在不同的局部放电故障，本研究中根据电晕放电、沿面放电和悬浮放电这三种典型的放电类型，分别设计并制作了如图2-5所示的三种放电缺陷模型：针板电极模型、棒板电极模型以及悬浮放电模型。

(a)电晕放电模型

(b)沿面放电模型

(c)悬浮放电模型

图STYLEREF1\s2SEQ图\*ARABIC\s15三种典型放电缺陷模型

图2-5(a)所示为模拟电晕放电的针板电极模型。上下极板之间的距离为35mm，针电极到下极板距离为28mm。

图2-5(b)所示为模拟沿面放电的棒板模型。环氧树脂版放在下极板上，棒电极连接高压端并