CN102789995B 制作金属凸块与熔接金属的制程方法 （稳懋半导体股份有限公司）.docxVIP

(19)中华人民共和国国家知识产权局

(12)发明专利

(45)授权

(10)授权公告号CN102789995B公告日2015.07.22

(21)申请号201110131307.1

(22)申请日2011.05.20

(73)专利权人稳懋半导体股份有限公司地址中国台湾桃园县

(72)发明人萧献赋

(74)专利代理机构北京科龙寰宇知识产权代理有限责任公司11139

代理人孙皓晨

(51)Int.CI.

HO1L21/60(2006.01)

HO1L23/00(2006.01)

US2006/0244140A1,2006.11.02,US6596618B1,2003.07.22,

审查员霍淑利

(56)对比文件

CN101587872A,2009.11.25,

US2009/0200664A1,2009.08.13,

CN101754592A,2010.06.23,

权利要求书1页说明书3页附图2页CN101388376A,2009.

权利要求书1页说明书3页附图2页

(54)发明名称

制作金属凸块与熔接金属的制程方法

(57)摘要

CN102789995B一种提升金属凸块结构表面熔接金属的共面性的制程方法，适用于半导体晶片的覆晶式凸块熔接技术，且当元件表面具有不同尺寸的金属凸块时，可消除或减少因凸块大小不同所造成的熔接金属经高温处理后高度不均匀的问题，藉此改善下游测试与封装的困难度。为达上述目的，本发明提出一种利用两道制程的方法，分别控制金属凸块面积与熔接金属面积，改善熔接金属共面性问题，其步骤包含：一第一道制程，用以制作金属凸块结构于半导体元件表面；以及一第二道制

CN102789995B

CN102789995B权利要求书1/1页

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1.一种制作金属凸块与熔接金属的制程方法，其特征在于，其步骤包括：

一第一道制程，用以制作多个金属凸块结构于一半导体元件表面；以及

一第二道制程，用以制作该多个金属凸块表面不同面积的熔接金属结构；其中，所述第一道制程包含下列步骤：

涂布或压合一第一光阻层于该半导体元件表面；

以曝光显影方法定义金属凸块结构的位置及几何形状；

以金属镀膜方法镀上金属凸块结构的金属材料；

以金属镀膜方法镀上一熔接金属的浸润层；

以及

去除第一光阻层，以形成金属凸块结构；

所述第二道制程包含下列步骤：

涂布或压合一第二光阻层于半导体元件及金属凸块结构表面；

确定该多个熔接金属结构于高温熔解后所达到的一个高度，根据该高度决定熔接金属结构在每一个金属凸块上的面积，并根据所确定的熔接金属结构的面积及金属凸块结构的位置与几何形状，以曝光显影方法定义熔接金属的位置及几何形状；

以金属镀膜方法镀上一熔接金属层的金属材料；以及

去除第二光阻层，形成熔接金属于金属凸块结构之上；

其中，熔接金属层的金属材料是铟、锡、以锡为主要成份的合金或是以铟为主要成份的合金。

2.如权利要求1所述的制作金属凸块与熔接金属的制程方法，其特征在于，所述第一道制程及所述第二道制程中的金属镀膜方法是溅镀、蒸镀或电镀。

3.如权利要求1所述的制作金属凸块与熔接金属的制程方法，其特征在于，金属凸块结构的金属材料是铜。

4.如权利要求1所述的制作金属凸块与熔接金属的制程方法，其特征在于，金属凸块结构的金属材料是金。

5.如权利要求1所述的制作金属凸块与熔接金属的制程方法，其特征在于，该多个熔接金属结构于高温熔解后所达到的高度是根据金属凸块的面积及熔接金属结构的表面张力，以数值模拟计算得出。

6.如权利要求1所述的制作金属凸块与熔接金属的制程方法，其特征在于，该多个熔接金属结构于高温熔解后所达到的高度是通过实验，并利用试误法而得出的。

CN102789995B说明书1/3页

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制作金属凸块与熔接金属的制程方法

技术领域

[0001]本发明有关一种提升金属凸块表面熔接金属共面性的制程方法，尤指一种制程方法适用于半导体晶片的覆晶式凸块熔接技术，而且当元件表面具有不同尺寸的金属凸块时，可消除或减少因凸块大小不同所造成的熔接金属经高温处理后高度不均匀的问题，藉此改善下游测试与封装的困难度。

背景技术

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