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碳化硅MOSFET器件栅氧可靠性的材料改进

引言

在新能源汽车、智能电网、工业变频等领域对高效电力转换的迫切需求下，碳化硅（SiC）基功率器件凭借其宽禁带（约3.26eV）、高击穿场强（约3×10?V/cm）、高热导率（约4.9W/cm·K）等特性，成为替代传统硅基器件的核心选择。其中，碳化硅金属-氧化物-半导体场效应晶体管（SiCMOSFET）因具备低导通电阻、高开关速度和全控型特性，被视为下一代电力电子系统的“心脏”。然而，其栅氧层（通常为SiO?）的可靠性问题始终是制约器件长期稳定运行的关键瓶颈——在高温、高压、高频工作条件下，栅氧层易出现阈值电压漂移、漏电流激增甚至介电击穿等现象，严