CN103779409B 基于耗尽型AlGaNGaN HEMT器件结构及其制作方法 （西安电子科技大学）.docxVIP

(19)中华人民共和国国家知识产权局

(12)发明专利

(45)授权

(10)授权公告号CN103779409B公告日2017.02.08

(21)申请号201410025539.2

(22)申请日2014.01.20

(65)同一申请的已公布的文献号申请公布号CN103779409A

(43)申请公布日2014.05.07

(73)专利权人西安电子科技大学

地址710071陕西省西安市太白南路2号

(72)发明人冯倩杜锴梁日泉张春福代波张进城郝跃

(74)专利代理机构北京方圆嘉禾知识产权代理

有限公司11385代理人董芙蓉

(51)Int.CI.

HO1L29/778(2006.01)

HO1L29/40(2006.01)

HO1L29/06(2006.01)

HO1L21/335(2006.01)

(56)对比文件

CN101414629A,2009.04.22,CN101410985A,2009.04.15,

US2013/0240949A1,2013.09.19,审查员郑钰

权利要求书2页说明书4页附图2页

(54)发明名称

基于耗尽型AlGaN/GaNHE