CN103885118B 二维无v型槽光纤阵列装置及其制作方法 （四川飞阳科技有限公司）.docxVIP

(19)中华人民共和国国家知识产权局

(12)发明专利

(45)授权

(10)授权公告号CN103885118B公告日2017.03.29

(21)申请号201210554615.X

(22)申请日2012.12.19

(65)同一申请的已公布的文献号申请公布号CN103885118A

(43)申请公布日2014.06.25

(73)专利权人四川飞阳科技有限公司

地址610209四川省成都市西南航空港经

济开发区长城路一段185号

(72)发明人黄华李强余富荣胡家泉李朝阳陈贵明

(74)专利代理机构广州华进联合专利商标代理有限公司44224

代理人陈振

(51)Int.CI.

GO2B6/08(2006.01)

(56)对比文件

CN203101677U,2013.07.31,CN101281279A,2008.10.08,US4264130,1981.04.28,

US6243520B1,2001.06.05,

审查员张中青

权利要求书2页说明书6页附图6页

(54)发明名称

二维无V型槽光纤阵列装置及其制作方法

(57)摘要

CN103885118B本发明公开了一种二维无V型槽光纤阵列装置及其制作方法，所述光纤阵列装置，包括基板、盖板和M×N根光纤，其中：N为光纤层数，M为每层光纤阵列中的光纤数量，相邻两层光纤阵列中的光纤数量相等，所述基板与所述盖板均为平板；第0层光纤阵列作为底层固定在所述基板上，第S层光纤阵列中的光纤固定在第S-1层光纤阵列中的相邻光纤之间形成的凹槽内，与所述S-1层光纤阵列中的光纤错位相切；其中，S=1,2…N。本发明公开的二维无V型槽光纤阵列装置，避免了使用昂贵的带有V型槽的基板，大大降低了光纤阵列的批量生产成本，有效利用了基板和盖板之间的空间体积，提高了光纤阵列的密度，在光束整

CN103885118B

CN103885118B权利要求书1/2页

2

1.一种二维无V型槽光纤阵列装置，其特征在于，包括基板、盖板和M×N根光纤，其中：N为光纤层数，M为每层光纤阵列中的光纤数量，相邻两层光纤阵列中的光纤数量相等；

所述基板与所述盖板均为平板，且未设置V型槽结构；

第0层光纤阵列作为底层固定在所述基板上；第S层光纤阵列中的光纤固定在第S-1层光纤阵列中的相邻光纤之间形成的凹槽内，与所述S-1层光纤阵列中的光纤错位相切；其中，S=1,2…N;

所述相邻两层光纤阵列之间的错位距离为,其中X为正整数，D为光纤直

径，」

第1至N层光纤阵列均向同一方向以光纤半径整数倍的距离错位固定，形成菱形光纤阵列；

所述盖板固定在所述第N层光纤阵列上。

2.根据权利要求1所述的二维无V型槽光纤阵列装置，其特征在于，所述基板的上表面的棱角均设置为45度至60度倒角。

3.根据权利要求1或2所述的二维无V型槽光纤阵列装置，其特征在于，所述N层光纤阵列中分别设置有不通光光纤阵列。

4.一种二维无V型槽光纤阵列装置的制作方法，其特征在于，包括如下步骤：

准备光纤和基板；

将所述光纤埋入标准V型槽夹具中，盖上所述基板；

将A胶水点在所述基板的前后两端的光纤上，进行固化；

松开所述标准V型槽夹具，将固定底层光纤阵列的基板取下；

将第1层光纤阵列埋入所述标准V型槽夹具中，盖上所述固定底层光纤阵列的基板，并使底层光纤阵列中的光纤与第1层光纤阵列中的光纤错位相切；

将A胶水点在所述底层光纤阵列的前端和后端，进行固化；

取下所述基板，将B胶水点在两层光纤的中部的侧面，用无尘纸清洁渗透至所述第1层光纤阵列上的B胶水，进行固化；

重复上述步骤制作第2～N层光纤阵列至第1～N-1层光纤阵列上，使得第1至N层光纤阵列均向同一方向以光纤半径整数倍的距离错位固定，形成菱形光纤阵列；

将盖板压在第N层光纤阵列上，并点B胶水，进行固化；

研磨端面。

5.根据权利要求4所述的二维无V型槽光纤阵列装置的制作方法，其特征在于，所述准备光纤和基板，包括以下步骤：

剪切光纤带，去除光纤带外部的涂敷层；

清洗去除涂覆层后的裸光纤，并放入高温箱中释放应力；

对所述基板的上表面的所有棱角进行倒角处理。

6.根据权利要求4所述的二维无V型槽光纤阵列装置的制作方法，其特征在于，所述研磨端面，包括以下步骤：

在靠近带涂覆层的光纤带一端的