CN103441154A 一种ZnO纳米阵列紫外探测器及其制作方法 （北京科技大学）.docxVIP

(19)中华人民共和国国家知识产权局

(12)发明专利申请

(10)申请公布号CN103441154A

(43)申请公布日2013.12.11

(21)申请号201310259647.1

(22)申请日2013.06.26

(71)申请人北京科技大学

地址100083北京市海淀区学院路30号

(72)发明人张跃衣芳廖庆亮黄运华闫小琴

(74)专利代理机构北京金智普华知识产权代理有限公司11401

代理人皋吉甫

(51)Int.CI.

HO1L31/0224(2006.01)

HO1L31/18(2006.01)

HO1L31/09(2006.01)

权利要求书1页说明书3页附图2页

(54)发明名称

一种ZnO纳米阵列紫外探测器及其制作方法

(57)摘要

CN103441154A本发明一种ZnO纳米阵列紫外探测器及其制作方法，该器件结构为金属-半导体-金属接触型，从下到上依次为ITO或FTO导电玻璃的基底，覆盖在基底上的ZnO薄膜，位于ZnO薄膜的中间位置的另一端电极，以及另一端电极四周的ZnO纳米阵列，同时基底为一端电极；另一端电极的面积为基底总面积的10%~12%。制备方法如下：先利用磁控溅射在基底上生长一层ZnO薄膜；然后在ZnO薄膜上电极并引出一端导线；接着在电极上覆盖PDMS保护层；再通过水热法生长ZnO纳米阵列；最后在样品一侧边缘处刮掉部分Zn0使导电玻璃基底裸露并引出另一端导线，即得所述紫外

CN103441154A

CN103441154A权利要求书1/1页

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1.一种ZnO纳米阵列紫外探测器，其特征在于：该器件结构为金属-半导体-金属接触型，从下到上依次为ITO或FTO导电玻璃的基底，覆盖在所述基底上的ZnO薄膜，位于所述Zn0薄膜中间位置的一端电极，以及所述一端电极四周的ZnO纳米阵列，同时所述基底为另一端电极；其中，所述一端电极为Ag或Pt;一端电极的面积为基底总面积的10%~12%。

2.一种如权利要求1所述ZnO纳米阵列紫外探测器的制作方法，其特征在于，具体包括以下步骤：

步骤(1).以ITO或FTO导电玻璃为基底，所述基底依次用丙酮、乙醇和异丙醇进行超声清洗，用氮气吹干，备用；

步骤(2).利用磁控溅射法在上述步骤(1)处理过的ITO或FTO导电玻璃基底上沉积一层厚度为200~250nm的Zn0薄膜，再在Zn0薄膜的中央位置附近点Ag胶或点Pt浆做成一端电极并且引出导线，放置4~8h使电极干化，其中，一端电极的面积为基底总面积的10%~12%;

步骤(3).在Ag或Pt一端电极上覆盖一层已配制好的聚二甲基硅氧烷PDMS,在60~70℃的烘箱中加热35~45min至PDMS电极保护层完全固化；

步骤(4).将经过步骤(3)处理后所得的基片放入盛有生长液的容器中生长8~14h得到ZnO纳米阵列，结束生长后用去离子水清洗并烘干；

步骤(5).将经步骤(4)制备后所得的样品的一侧边缘处刮掉占样品总面积7%~9%的ZnO层使该处ITO或FTO导电玻璃基底裸露，把露出的导电玻璃基底作为另一端电极并接出导线，即得到ZnO纳米阵列紫外探测器。

CN103441154A说明书1/3页

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一种Zn0纳米阵列紫外探测器及其制作方法

技术领域

[0001]本发明属于纳米材料和纳米功能器件制备技术领域，涉及一种Zn0纳米阵列紫外探测器以及该紫外探测器的制作方法。

[0002]

背景技术

[0003]紫外探测器广泛应用于科研、军事、太空、环保和许多工业领域，如太空飞船中的紫外光监视器，臭氧层太阳光紫外线监视，热背景火焰探测，废气监视等；还可用于医学、生物学等；在日常生活中还可作为UV-A(230～400nm)、UV-B(280~320nm)紫外计量计供海滩、高山等富紫外环境中的个人使用。

[0004]Zn0是一种宽禁带直接带隙化合物半导体材料，禁带宽度约为3.37eV,激子束缚能高达60meV。Zn0在室温下的紫外受激