CN103811489B 基于薄膜晶体管的微波毫米波集成电路、功率交换电路及其制作方法 （石以瑄）.docxVIP

(19)中华人民共和国国家知识产权局

(12)发明专利

(45)授权

(10)授权公告号CN103811489B公告日2017.03.01

(21)申请号201410077438.X

(22)申请日2014.03.05

(65)同一申请的已公布的文献号申请公布号CN103811489A

(43)申请公布日2014.05.21

(73)专利权人石以瑄

地址加拿大魁北克省布洛沙市罗斯坦路7905号

专利权人邱树农邱星星石宇琦

(72)发明人石以瑄邱树农吴杰欣邱星星石宇琦

(74)专利代理机构苏州市新苏专利事务所有限公司32221

代理人徐鸣

(51)Int.CI.

HO1L27/02(2006.01)

HO1L21/77(2006.01)

(56)对比文件

US2011/0285372A1,2011.11.24.CN103606560A,2014.02.26,

CN1183637A,1998.06.03,

JP特开2013-41949A,2013.02.28,审查员李利哲

权利要求书4页说明书19页附图4页

(54)发明名称

基于薄膜晶体管的微波毫米波集成电路、功率交换电路及其制作方法

(57)摘要

CN103811489B本发明涉及基于薄膜晶体管的微波毫米波集成电路、功率交换电路及其制作方法，使在制作该集成电路的有源和无源器件后，不需研磨，蚀刻及打薄基座或衬底。同时也提供以不具毒性的制作的有源器件。利用不具毒性的半导体制作薄膜晶体管的毫米波集成电路并不需研磨，蚀刻及打薄基座或衬底，使得制作成本降低并减小环境污染。也提供可减小或免除对准，搭线手续的

CN103811489B

CN103811489B权利要求书1/4页

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1.一种具有倒反T-形栅极或倒反T-形栅极及平整通道层的薄膜晶体管的微波毫米波集成电路及功率交换电路，其特征在于：所述的薄膜晶体管由下述所构成：

一个绝缘体基座，有一基座厚度；

一个第一介质层，有第一介质层厚；

一个第一栅极，有第一栅极头部和第一栅极根部，该第一栅极头部被嵌在该基座中，而第一栅极根部被嵌在该第一介质层中，该第一栅极根部有第一栅极根部长度及第一栅极根部厚度；

一个第二薄介质层，有第二薄介质层厚度；

一个薄膜通道的第一半导体通道层，有第一半导体通道层厚度，该第一半导体通道层和第一栅极在其栅极长的方向的范围和该第一栅极重叠；

一个源极层；

一个漏极层；

一个第三介质层作为保护和钝化之用，及

一层背面金属层。

2.根据权利要求1所述的具有倒反T-形栅极或倒反T-形栅极及平整通道层的薄膜晶体管的微波毫米波集成电路及功率交换电路，其特征在于：所述的第一半导体通道层的材料选自下列材料组：金属氧化物，金属氮化物，金属氮氧化物，其中所述的金属则选自下述材料组：铟，锌，锡，镓及其熔合物，该金属氧化物，金属氮化物，金属氮氧化物可以溅射，包括反应溅射、离子溅射，分子束外延生长，金属有机物化学气相沉积生长来完成。

3.根据权利要求1所述的具有倒反T-形栅极或倒反T-形栅极及平整通道层的薄膜晶体管的微波毫米波集成电路及功率交换电路，其特征在于：在所述的第一半导体通道层上另有一源极突出层和一漏极突出层，以减小漏电并增加击穿电压，其材料选自下列材料组：金属氧化物，金属氮化物，金属氮氧化物，其中所述的金属则选自下述材料组：铟，锌，锡，镓及其熔合物，并控制其导电系数以减小该源极及漏极之间的电阻。

4.根据权利要求1所述的具有倒反T-形栅极或倒反F-形栅极及平整通道层的薄膜晶体管的微波毫米波集成电路及功率交换电路，其特征在于：所述基座，其材料选自下列材料组：氧化铝，二氧化硅及塑料。

5.根据权利要求1所述的具有倒反T-形栅极或倒反T-形栅极及平整通道层的薄膜晶体管的微波毫米波集成电路及功率交换电路，其特征在于：所述第一介质层，第二薄介质层及第三介质层的材料选自下述材料组：氧化硅，氮化硅，氮氧化硅，氧化铝，氮化铝、氧化铪，氧化镁及其熔合物。

6.一种具有倒反T-形栅极或倒反F-形栅极及平整通道层的薄膜晶体管的微波毫米波集成电路及功率交换电路，且其基座不需以研磨蚀刻打薄，其特征在于：所述的薄膜晶体管由下述所构成：

一个绝缘体基座，有一基座厚度；

一个第一介质