CN103904113B 加栅场板耗尽型AlGaNGaN HEMT器件结构及其制作方法 （西安电子科技大学）.docxVIP

(19)中华人民共和国国家知识产权局

(12)发明专利

(45)授权

(10)授权公告号CN103904113B公告日2017.05.17

(21)申请号201410025458.2

(22)申请日2014.01.20

(65)同一申请的已公布的文献号申请公布号CN103904113A

(43)申请公布日2014.07.02

(73)专利权人西安电子科技大学

地址710071陕西省西安市太白南路2号

(72)发明人冯倩杜锴代波张春福梁日泉郝跃

(74)专利代理机构北京方圆嘉禾知识产权代理有限公司11385

代理人董芙蓉

(51)Int.CI.

HO1L29/778(2006.01)

HO1L29/40(2006.01)

HO1L29/06(2006.01)

HO1L21/335(2006.01)

(56)对比文件

CN101410985A,2009.04.15,CN101414626A,2009.04.22,

CN101414624A,2009.04.22,审查员李艳红

权利要求书2页说明书5页附图2页

(54)发明名称

加栅场板耗尽型AlGaN/GaNHEMT器件结构及其制作方法

(57)摘要

CN103904113B本发明公开了一种加栅场板耗尽型AlGaN/GaNHEMT器件结构及其制作方法，所述结构包括衬底、本征GaN层、A1N隔离层、本征A1GaN层、AlGaN掺杂层、栅电极、源电极、漏电极、栅场板、绝缘层、钝化层以及用于调节二维电子气浓度的硅化物。所述栅电极、源电极、漏电极以及绝缘层位于AlGaN掺杂层之上，硅化物位于绝缘层之上所述硅化物为块状，对绝缘层和AlGaN层引入压应力，硅化物之间的AlGaN层受到张应力，通过使块间距小于块宽度，使得

CN103904113B

键化层

耐化物加焊地极

GaN

村双

CN103904113B权利要求书1/2页

2

1.一种加栅场板耗尽型AlGaN/GaNHEMT器件结构，其特征在于：所述结构包括衬底、本征GaN层、A1N隔离层、本征AlGaN层、A1GaN掺杂层、栅电极、源电极、漏电极、栅场板、绝缘层、钝化层以及用于调节二维电子气浓度的硅化物；所述A1N隔离层位于本征GaN层之上，所述本征A1GaN位于所述隔离层之上，所述AlGaN掺杂层位于本征A1GaN层之上，栅电极、源电极、漏电极以及绝缘层位于A1GaN掺杂层之上，硅化物位于绝缘层之上；在衬底上外延生长有耗尽型A1GaN/GaN异质结材料，所述A1GaN/GaN异质结材料中的A1GaN是由本征AlGaN层和AlGaN掺杂层共同组成，GaN就是本征GaN层，并在该异质结材料上形成有栅电极、源电极和漏电极，然后淀积一层绝缘层，其中厚绝缘层位于栅电极与漏电极之间，紧挨栅电极，厚度为200nm-700nm,薄绝缘层分别位于厚绝缘层与漏电极之间和栅电极与源电极之间，厚度为5～10nm,在绝缘层上的栅漏区域以及栅源区域间，形成有硅化物，硅化物为块状，会对硅化物正下方的绝缘层、本征AlGaN层和AlGaN掺杂层引入压应力，而除此之外的其余本征AlGaN层和A1GaN掺杂层的区域会受到张应力，通过使块间距小于块宽度，使得本征AlGaN层和AlGaN掺杂层总体获得张应力，从而使沟道中2DEG得到增强，所述的硅化物包括NiSi,TiSi?

或Co?Si,将厚绝缘层上的硅化物与栅电极电连接形成栅场板结构，最后淀积钝化层实现器件的钝化。

2.根据权利要求1所述的加栅场板耗尽型A1GaN/GaNHEMT器件结构，其特征在于：其中的衬底材料是蓝宝石、碳化硅、GaN或Mg0。

3.根据权利要求1所述的加栅场板耗尽型AlGaN/GaNHEMT器件结构，其特征在于：其中的A1GaN中A1与Ga的组份能够调节，AlxGa1-xN中x=0～1。

4.根据权利要求1所述的加栅场板耗尽型AlGaN/GaNHEMT器件结构，其特征在于：其本征GaN层替换为AlGaN层，而该替换后的A1GaN中A1的组份小于本征A1GaN层和AlGaN掺杂层的A1组份。

5.根据权利要求1所述的加栅场板耗尽型AlGaN/G