CN103443930A 硅量子点的光活性层及其制作方法 (韩国标准科学研究院).docxVIP

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  • 2026-03-16 发布于重庆
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CN103443930A 硅量子点的光活性层及其制作方法 (韩国标准科学研究院).docx

(19)中华人民共和国国家知识产权局

(12)发明专利申请

(10)申请公布号CN103443930A

(43)申请公布日2013.12.11

(21)申请号201280014208.8

(22)申请日2012.03.22

(30)优先权数据

10-2011-00254252011.03.22KR

(85)PCT申请进入国家阶段日

2013.09.18

(86)PCT申请的申请数据

PCT/KR2012/0020602012.03.22

(87)PCT申请的公布数据

WO2012/128564EN2012.09.27

(71)申请人韩国标准科学研究院地址韩国大田广域市

(72)发明人金庆中洪升辉朴裁熙张淙植

(74)专利代理机构北京集佳知识产权代理有限

公司11227代理人顾晋伟全万志

(51)Int.CI.

HO1L31/0352(2006.01)

HO1L33/06(2010.01)

HO1L33/08(2010.01)

HO1L33/34(2010.01)

HO1L31/0368(2006.01)

权利要求书1页说明书8页附图7页

(54)发明名称

硅量子点的光活性层及其制作方法

(57)摘

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