CN104409419A 一种空气侧墙的制作方法 （上海集成电路研发中心有限公司）.docxVIP

(19)中华人民共和国国家知识产权局

(12)发明专利申请

(10)申请公布号CN104409419A

(43)申请公布日2015.03.11

(21)申请号201410652873.0

(22)申请日2014.11.17

(71)申请人上海集成电路研发中心有限公司地址201210上海市浦东新区张江高斯路

497号

(72)发明人曾绍海李铭

(74)专利代理机构上海天辰知识产权代理事务所(特殊普通合伙)31275

代理人吴世华林彦之

(51)Int.CL.

HO1L21/8238(2006.01)

权利要求书1页说明书4页附图3页

(54)发明名称

一种空气侧墙的制作方法

步骤；提供一平特林衬底，所述平导林村底包括XMOS

步骤；提供一平特林衬底，所述平导林村底包括

XMOS区和ITMDS区，所述NDS区形成有N+源满区和MOS栅极，所述PMS区形成有P+源渊区PM05栅极

步骤二：沉利APF层，并刻蚀形成所述MOS栅极、PMOS珊极的MP侧墙

步骤二：汇积第一齐质层，覆盖所述NM5概极、PUOS栅极及APF侧墙

步骤四：对所述第一介质层进行平坦化，直至去除所述APF侧墙顶部的一部分，以在所述APF侧墙顶部形成释放口