CN104393041A T形栅场板高电子迁移率晶体管及其制作方法 （西安电子科技大学）.docxVIP

(19)中华人民共和国国家知识产权局

(12)发明专利申请

(10)申请公布号CN104393041A

(43)申请公布日2015.03.04

(21)申请号201410659603.2

(22)申请日2014.11.18

(71)申请人西安电子科技大学

地址710071陕西省西安市太白南路2号

(72)发明人毛维佘伟波张延涛杨翠马佩军郝跃

(74)专利代理机构陕西电子工业专利中心61205

代理人

(51)Int.CL.

HO1L

HO1L

HO1L

HO1L

王品华朱红星

29/778(2006.01)

29/423(2006.01)

21/335(2006.01)21/28(2006.01)

权利要求书2页说明书9页附图3页

(54)发明名称

T形栅场板高电子迁移率晶体管及其制作方法

保护层11T

保护层11

T形栅场板10

钝化层8

栅极7漏极5

势垒层3

台面6

过渡层2

村底1

凹槽9

源极4

CN104393041A本发明公开了一种T形栅场板高电子迁移率晶体管及其制作方法，主要解决现有场板技术在实现高击穿电压时工艺复杂的问题。其结构自下而上包括：衬底(1