CN104269400A 一种新型栅极接地nmos结构esd保护器件及其制作方法 （电子科技大学）.docxVIP

(19)中华人民共和国国家知识产权局

(12)发明专利申请

(10)申请公布号CN104269400A

(43)申请公布日2015.01.07

(21)申请号201410439316.0

(22)申请日2014.08.30

(71)申请人电子科技大学

地址610054四川省成都市成华区建设北路

二段4号

(72)发明人刘志伟连捷坤纪长志缪家斌

刘聂张国彦刘毅杨雪娇

田瑞刘凡

(74)专利代理机构四川君士达律师事务所

51216

代理人苟忠义

(51)Int.CI.

HO1L27/02(2006.01)

HO1L29/78(2006.01)

权利要求书1页说明书3页附图2页

(54)发明名称

一种新型栅极接地NMOS结构ESD保护器件及其制作方法

阴极胸1极

阴极

胸1极

Di

P-浅阱

103

D2

P-衬底101

P阱102

P-队102

扩极

CN104269400A本发明公开了一种新型栅极接地NMOS结构ESD保护器件及其制作方法，保护器件包括P型衬底，P型衬底内有P阱区，P阱内注有第一P+区、第一N+区、第二N+区、第三N+区、第二P+区，在P阱内第二N+区的下方设有P型