CN115458649B 发光二极管外延片及其制备方法、发光二极管 (江西兆驰半导体有限公司).pdfVIP

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  • 2026-03-16 发布于山西
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CN115458649B 发光二极管外延片及其制备方法、发光二极管 (江西兆驰半导体有限公司).pdf

(19)国家知识产权局

(12)发明专利

(10)授权公告号CN115458649B

(45)授权公告日2025.05.02

(21)申请号202211298826.1H10H20/815(2025.01)

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