CN104332408A 一种鳍式场效应晶体管鳍部的制作方法 （上海集成电路研发中心有限公司）.docxVIP

(12)发明专利申请(19)中华人民共和国国家知识产权局

(12)发明专利申请

(10)申请公布号CN104332408A

(43)申请公布日2015.02.04

(21)申请号201410554615.9

(22)申请日2014.10.17

(71)申请人上海集成电路研发中心有限公司地址201210上海市浦东新区张江高斯路

497号

(72)发明人曾绍海李铭易春艳姚树歆

(74)专利代理机构上海天辰知识产权代理事务所(特殊普通合伙)31275

代理人吴世华林彦之

(51)Int.CI.

HO1L21/336(2006.01)

权利要求书1页说明书4页附图6页

(54)发明名称

一种鳍式场效应晶体管鳍部的制作方法

在半导体村底上形成健拖膜层，硬撞膜层具有第…图形在硬推腹是上涂布光刻平坦化层，对鹿刻平坦化层以及硬拖

在半导体村底上形成健拖膜层，硬撞膜层具有第…图形

在硬推腹是上涂布光刻平坦化层，对鹿刻平坦化层以及硬拖颜层送行刻饰，以使硬掩原层具有第二图形

去除光烟平坦化层，并在要撤膜层的葱醇政侧墙

以侧墙为梓膜，财半导体衬底进打第一刻蚀，以形成由上往下逐渐变窄