CN104282628B 一种cmos图像传感器全局像元存储电容的制作方法 (上海集成电路研发中心有限公司).docxVIP

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CN104282628B 一种cmos图像传感器全局像元存储电容的制作方法 (上海集成电路研发中心有限公司).docx

(19)中华人民共和国国家知识产权局

(12)发明专利

(45)授权

(10)授权公告号CN104282628B公告日2017.12.08

(21)申请号201410593540.5

(22)申请日2014.10.29

(65)同一申请的已公布的文献号申请公布号CN104282628A

(43)申请公布日2015.01.14

(73)专利权人上海集成电路研发中心有限公司地址201210上海市浦东新区上海浦东张

江高斯路497号

专利权人成都微光集电科技有限公司

(72)发明人顾学强赵宇航周伟

(74)专利代理机构上海天辰知识产权代理事务所(特殊普通合伙)31275

代理人吴世华林彦之

(51)Int.CI.

HO1L21/8238(2006.01)

HO1L21/02(2006.01)

(56)对比文件

US2005/0280110A1,2005.12.22,CN1812111A,2006.08.02,

CN102341749A,2012.02.01,审查员张海洋

权利要求书1页说明书6页附图6页

(54)发明名称

一种CMOS图像传感器全局像元存储电容的制作方法

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