CN118877833B 一种mems芯片的应力隔离封装结构及其封装方法 （泉州市云箭测控与感知技术创新研究院）.docxVIP

(19)国家知识产权局

(12)发明专利

(10)授权公告号CN118877833B(45)授权公告日2025.01.14

(21)申请号202411359219.0

(22)申请日2024.09.27

(65)同一申请的已公布的文献号申请公布号CN118877833A

B81C1/00(2006.01)

(56)对比文件

CN117446739A,2024.01.26

审查员林智强

(43)申请公布日2024.11.01

(73)专利权人泉州市云箭测控与感知技术创新

研究院

地址362011福建省泉州市洛江区安平路9

号方圆大厦B幢7楼

专利权人泉州云箭测控信息科技有限公司

(72)发明人黄明财吴小平林锦坡戴志华鄢晨晞任延超

(51)Int.CI.

B81B7/00(2006.01)

B81B7/02(2006.01)

权利要求书2页说明书6页附图3页

(54)发明名称

一种MEMS芯片的应力隔离封装结构及其封

装方法

(57)摘要

CN118877833B本发明属于半导体封装技术领域，本发明公开一种MEMS芯片的应力隔离封装结构及其封装方法。此封装结构包括MEMS芯片、应力隔